[实用新型]阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示技术的发展和工业技术的进步，液晶显示技术已经取代了阴极射线管技术显示成为日常显示领域的主流技术。由于液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，其本身所具有的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器件，故而解决显示技术上的技术缺点，改善成像质量（如减小色偏，减少亮点、亮线，降低立体串扰，画面闪烁，增大可视角度等）也变的日益重要。

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，缩写为TFT-LCD）包括阵列基板、对盒基板以及位于阵列基板和对盒基板之间的液晶层。如图1所示，阵列基板中设置有相互交叉的栅线101和数据线102，以及由栅线和数据线交叉形成的像素单元，其中每一像素单元包括薄膜晶体管TFT；所述栅线101和数据线102分别被用作传输扫描驱动信号和图像数据信号，来实现对液晶分子偏转的控制，从而进一步控制光线的强弱，在对盒基板的共同作用下，实现图像的显示。具体的，沿图1中虚线A-A′处的阵列基板的剖面结构如图2所示，从图2中可以看出，所述阵列基板从下至上依次包括衬底基板200、栅极201、栅绝缘层202、用于形成导电沟道208的有源层203、源极204、漏极205、钝化层206和像素电极207。

如图3所示，当前TFT-LCD制作工艺中，亮线和亮点是制造过程中的主要不良，其中，亮线不良大部分是由于灰尘引起的数据线断开型不良301，表现在显示屏上就是一条不随着屏幕色彩变化的亮线；亮点不良则有多种原因，例如灰尘，薄膜残留等，就制作工艺中的掩膜技术而言，最主要的两种不良是导电沟道残留（GT Bridge）型不良和导电沟道断开（Channel Open）型不良302，二者分别是由于导电沟道部分的非晶硅（a-Si）残留和非晶硅被刻蚀的太多引起的亮点不良。如图4所示，图4为沿图3中虚线B-B′处的阵列基板的剖面结构图；从图4中可以看出，导电沟道断开型不良发生时，有源层203的非晶硅被过度刻蚀，使得有源层203中形成的导电沟道208断开，进而使得源极204和漏极205之间不能有电流导通；或者，导电沟道208部分断开，进而影响TFT单位时间内的充放电能力，进而影响显示效果。导电沟道不良（包括上述的由于刻蚀工艺所引起的导电沟道残留型不良和导电沟道断开型不良）在生产的过程中很难被发现，只有到了阵列测试（Array test）阶段，才可以实现对导电沟道残留（GT Bridge）型不良的检测，而对于导电沟道断开（Channel Open）型不良，在导电沟道部分没有断开的情况下，它的充放电功能还可以完成，使得这种不良在阵列基板的测试阶段也很难被发现，只有到了对盒测试阶段，才会以亮点的形式表现出来。总之，对于导电沟道不良和数据线断开型不良，最早也要到阵列测试（Array test）阶段才可以检测出来，这样就延误了设备的调整时间，使得不良持续发生，造成大批相似的不良。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，用以实现对于导电沟道不良和数据线断开型不良的早期检测，尽早实现设备的调整以消除不良发生的原因。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；所述阵列基板还包括：位于栅绝缘层所在层与所述数据线、源极、漏极和有源层所在层之间的不良检测层，所述不良检测层为包含有色染料的绝缘层。

本实用新型实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供了一种显示装置，所述和显示装置包括上述的显示面板。