[实用新型]反极性四元发光二极管的N电极结构改良

权利要求书

1.一种反极性四元发光二极管的N电极结构改良，该N电极是应用于四元材料的反极性发光二极管的N型半导体层；其特征在于：

该N电极包括一圆形的结合衬垫，以及两组从该结合衬垫向该N型半导体层的左方向及右方向或上方向及下方向延伸的支脚组；每一支脚组包括三个直线延伸的指状物，三个指状物彼此平行，并保持相等距离；三个指状物分别具有一终端，各个终端至该N型半导体层的边缘的距离相同。

2.如权利要求1所述的反极性四元发光二极管的N电极结构改良，其特征在于，所述N电极为高导电性的金属薄膜，该高导电性金属薄膜是选自金、铝、锗、镍的其中一种或其合金。

3.如权利要求1所述的反极性四元发光二极管的N电极结构改良，其特征在于，所述结合衬垫的直径为70～140μm。

4.如权利要求3所述的反极性四元发光二极管的N电极结构改良，其特征在于，每一所述指状物的宽度为5-20μm。

5.如权利要求4所述的反极性四元发光二极管的N电极结构改良，其特征在于，每一所述指状物的终端至所述N型半导体层边缘的距离为20-80um。