[实用新型]GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统

权利要求书

1.一种GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，通过分析仪测试GaN HEMT微波功率器件，其特征是，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias Tee将同步脉冲射频信号加载到被测器件GaN HEMT的栅极或漏极；

两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias Tee上。

2.根据权利要求1所述GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，所述的两组开关分别由脉冲发生模块产生的两路脉冲时序控制导通，所述脉冲发生模块产生的脉冲由信号发生器控制触发。

3.根据权利要求1所述GaN HEMT 微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，两路直流电源分别为Vgs和Vds电压，分别通过一组开关加载到一偏置器Bias Tee上，其中， Vgs为负电压，直流电源Vgs加载到与GaN HEMT 的栅极连接的偏置器上，直流电源Vds加载到与GaN HEMT的漏极连接的偏置器上。

4.根据权利要求2所述GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，两路开关电路均包括与直流电源连接的电源端、接收脉冲发生模块脉冲的控制端、为其中一个偏置器加载输出偏压脉冲的输出端。

5.根据权利要求1所述GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，所述被测器件GaN HEMT的漏极电压脉冲包含在其栅极电压脉冲中，具有先栅极电压后漏极电压的加电顺序以及先漏极电压后栅极电压的放电顺序。

6.根据权利要求1所述GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，测试GaN HEMT微波功率器件S参量时，所述分析仪采用矢量网络分析仪。

7.根据权利要求1所述GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，其特征是，测试GaN HEMT微波功率器件脉冲直流特性时，所述分析仪采用半导体分析仪。