[实用新型]透明电极、阵列基板和液晶显示装置有效
申请号: | 201320376716.2 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN203287663U | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 张洪林;赵合彬;刘莎;董霆;王丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/13 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 阵列 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种透明电极、阵列基板和液晶显示装置。
背景技术
高级超维场开关(Advanced-Super Dimensional Switching,简称ADS)模式是平面电场宽视角核心技术,具体为通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率。
现有技术应用ADS模式的液晶显示面板的阵列基板中,每个子像素对应一个透明电极,如图1所示,该透明电极1包括相邻的第一畴显示区域11和第二畴显示区域12,在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中设置有镂空结构,使该透明电极1在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12分别具有不同方向的狭缝2,即形成上述的狭缝电极。然而,现有技术中应用ADS模式的液晶显示面板由于透明电极中相邻的两个筹区间的电极为一整块结构,从而导致该处的液晶排列不规则,使得现有技术中显示面板的透过率较低。
实用新型内容
本实用新型提供一种透明电极、阵列基板和液晶显示装置,提高了液晶显示面板的透过率。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一方面,提供了一种透明电极,包括相邻的第一畴显示区域和第二畴显示区域,所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中设置有镂空结构,使所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中分别具有不同方向的狭缝,
所述透明电极在所述第一畴显示区域和第二畴显示区域的交界处设置有镂空结构,所述交界处的镂空结构与所述第一畴显示区域和第二畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝。
具体地,所述透明电极为像素电极或公共电极。
进一步地,在所述透明电极的宽度方向上,所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离小于4.1μm。
优选地,在所述透明电极的宽度方向上,所述透明电极任意一侧的边缘与同一侧的狭缝边缘之间的距离等于3.5μm。
优选地,所述透明电极为氧化铟锡。
另一方面,提供了一种阵列基板,包括像素电极和公共电极,所述像素电极或公共电极包括多个上述的透明电极,每个所述透明电极对应一个子像素。
另一方面,提供一种液晶显示装置,包括上述的阵列基板。
本实用新型提供的透明电极、阵列基板和液晶显示装置,将相邻的两畴显示区域交界处的透明电极设置为镂空结构并与两畴显示区域中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝,使相邻的两畴显示区域中不同方向的狭缝更紧密的结合,使不规则排列的液晶区域面积缩小,从而提高了液晶显示面板的透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种透明电极的结构示意图;
图2为本实用新型实施例中一种透明电极的结构示意图;
图3为图2中A处的局部放大示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图2所示,本实用新型实施例提供了一种透明电极1,包括相邻的第一畴显示区域11和第二畴显示区域12,该透明电极在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中设置有镂空结构,使该透明电极在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中分别具有不同方向的狭缝2,该透明电极1在第一畴显示区域11和第二畴显示区域12的交界处设置有镂空结构,上述交界处的镂空结构与第一畴显示区域11和第二畴显示区域12中的镂空结构相结合形成不同方向的狭缝,图2中的空白区域为镂空结构。
上述透明电极具体可以由氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)等透明导电材料制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320376716.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种采煤机变频器的故障诊断系统
- 下一篇:阳光下可视的薄型液晶显示屏