[实用新型]一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构

权利要求书

1.一种功率陶瓷外壳，其特征在于，包括外壳键合区、位于所述外壳键合区表面的焊接层、位于所述焊接层表面的铜铝复合过渡片，其中所述铜铝复合过渡片包括铜层和铝层，且所述铜层位于所述焊接层和所述铝层之间。 

2.根据权利要求1所述的功率陶瓷外壳，其特征在于，所述铜铝复合过渡片的厚度为0.25mm。 

3.根据权利要求1所述的功率陶瓷外壳，其特征在于，所述铜铝复合过渡片的面积小于或等于所述外壳键合区的面积。 

4.根据权利要求1所述的功率陶瓷外壳，其特征在于，所述外壳键合区包括键合区体材和包裹所述键合区体材的电镀金属层。 

5.根据权利要求4所述的功率陶瓷外壳，其特征在于，所述电镀金属层包括镍层和金层，且所述镍层位于所述金层和所述键合区体材之间。 

6.根据权利要求5所述的功率陶瓷外壳，其特征在于，所述镍层的厚度为1.3μm～8.9μm，包括端点值，所述金层的厚度为1.3μm～5.7μm，包括端点值。 

7.一种功率芯片封装结构，其特征在于，包括：功率陶瓷外壳，通过焊接材料焊接于所述功率陶瓷外壳的芯片座表面的功率半导体芯片和电连接所述功率半导体芯片和功率陶瓷外壳的铝丝，其中，所述功率陶瓷外壳为权利要求1至6任一项所述的功率陶瓷外壳，所述铝丝与所述功率陶瓷外壳的铜铝复合过渡片的铝层接触。 

8.根据权利要求7所述的功率芯片封装结构，其特征在于，所述铜铝复合过渡片的面积大于或等于所述铝丝与所述铝层的接触面积。 

9.根据权利要求7所述的功率芯片封装结构，其特征在于，通过所述焊接层焊接所述铜铝复合过渡片和在所述功率陶瓷外壳的芯片座表面焊接所述功率半导体芯片可采用相同的焊接参数和焊接条件。