[实用新型]一种功率单元结构及高压变频器有效
申请号: | 201320381959.5 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN203339936U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 苏惠洁;阮舜辉 | 申请(专利权)人: | 深圳市英威腾电气股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李新林 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 单元 结构 高压 变频器 | ||
1.一种功率单元结构,其包括有箱体,所述箱体内设有电解电容(6)、整流桥(7)、IGBT模块(8)、铜排(9)、电源板(10)及驱动控制板(11),所述箱体包括有面板(1)、右侧板(2)、左侧板(3)、底板(4)、上盖板(14)及后盖板(15),其特征在于,所述电解电容(6)与右侧板(2)相邻设置,所述整流桥(7)、IGBT模块(8)和驱动控制板(11)与左侧板(2)相邻设置,所述电源板(10)与后盖板(15)相邻设置,且该电源板(10)垂直于底板(4)。
2.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,还包括有电源支撑板(16),所述电源板(10)通过该电源支撑板(16)而固定于箱体之内。
3.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述上盖板(14)为PC材料的盖板。
4.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述面板(1)上开设有散热窗(12)。
5.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述IGBT模块(8)的长度方向沿散热空气的流动方向延伸。
6.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,还包括有接触器(5),所述接触器(5)位于电解电容(6)与面板(1)之间。
7.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述整流桥(7)位于IGBT模块(8)与面板(1)之间。
8.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述驱动控制板(11)位于整流桥(7)和IGBT模块(8)的上方。
9.如权利要求1所述的功率单元结构,其特征在于,所述电解电容(6)的数量是多个,多个电解电容(6)通过铜排(9)而电性连接后,由位于中间位置的电解电容(6)引出并且连接至IGBT模块(8),该电解电容(6)的引出端口与IGBT模块(8)的电连接端相邻设置。
10.一种高压变频器,包括有机柜,其特征在于,还包括有权利要求1至9任一所述的功率单元结构,所述功率单元结构平躺式放置于机柜之内。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置