[实用新型]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

近年来，显示技术得到快速的发展，如薄膜晶体管技术由原来的a-Si（非晶硅）薄膜晶体管发展到现在的LTPS（低温多晶硅）薄膜晶体管、MILC（金属诱导横向晶化）薄膜晶体管、Oxide（氧化物）薄膜晶体管等。而发光技术也由原来的LCD（液晶显示器）、PDP（等离子显示屏）发展为现在的OLED（有机发光二极管）等。

目前，氧化物薄膜晶体管以其诸多优势日益受到重视。使用氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的迁移率高，均一性好，透明，开关特性更优，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。

但是，现有技术中的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺较为复杂，一般要经过6道光刻工艺，如图1所示为现有氧化物薄膜晶体管阵列基板典型结构图，该氧化物薄膜晶体管阵列基板包括基板1、栅极2、栅极绝缘层3、氧化物有源层4、刻蚀阻挡区5、漏极602、源极601、钝化层7和像素电极8。这种结构的氧化物薄膜晶体管阵列基板需要通过6道光刻分别形成包括栅极2，氧化物有源层4，刻蚀阻挡区5，源极601和漏极602，钝化层7过孔和像素电极8的图案。可见，这种结构的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂，制作成本较高。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板制作工艺复杂，制作成本较高的问题，提供一种制作工艺简单，制作成本低的阵列基板。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区设有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源区，所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，所述透明导电层在薄膜晶体管区构成薄膜晶体管的源极和漏极，在显示区构成像素电极。

优选的是，所述的阵列基板还包括：位于所述源极上的源过渡层和位于所述源过渡层上的源连接层。

进一步优选的是，所述源极、源过渡层、源连接层图案相同。

进一步优选的是，所述源过渡层的材料为重掺杂的非晶硅；所述源连接层为钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛、铜中的一种或多种材料形成的单层或多层复合叠层。

优选的是，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述薄膜晶体管区。

优选的是，所述有源区的材料为金属氧化物半导体。

优选的是，所述的阵列基板还包括设于所述有源区上的刻蚀阻挡区。

本实用新型的阵列基板包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，因为本实用新型的阵列基板的源极、漏极和像素电极都是由同一层透明导电层产生的，故其制作工艺简单，制作成本低。

本实用新型所要解决的技术问题还包括，针对现有的包括氧化物薄膜晶体管阵列基板的显示装置制作工艺复杂，制作成本较高的问题，提供一种制作工艺简单，制作成本低的显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括：

上述任意一种阵列基板。

本实用新型显示装置的阵列基板包括薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区和显示区还包括透明导电层，因为本实用新型的阵列基板的源极、漏极和像素电极都是由同一层透明导电层产生的，故其制作工艺简单，制作成本低。

附图说明

图1为现有的氧化物薄膜晶体管阵列基板的结构示意图；

图2为本实用新型的实施例1的阵列基板的结构示意图；

图3为本实用新型的实施例2的阵列基板形成包括透明导电层薄膜、过渡层薄膜以及金属层薄膜的图形的结构示意图；

图4为本实用新型的实施例2的阵列基板形成源连接层后的结构示意图；

图5为本实用新型的实施例2的阵列基板形成源过渡层后的结构示意图；

图6为本实用新型的实施例2的阵列基板形成源极和漏极后沿图7中A-A方向的剖视图；

图7为本实用新型的实施例2的阵列基板形成源极和漏极后的俯视图；

图8为本实用新型的实施例2的阵列基板形成钝化层后的结构示意图；

图9为本实用新型的实施例2的阵列基板去除显示区钝化层后的结构示意图；

图10为本实用新型的实施例2的阵列基板去除显示区过渡层薄膜后的结构示意图；