[实用新型]一种高压半导体器件有效
| 申请号： | 201320386324.4 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN203351605U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吉扬永;张磊 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体器件 | ||
1.一种高压半导体器件，其特征在于，包括：
具有第二掺杂类型的外延层；
形成在外延层内的第一低压阱，所述第一低压阱具有第二掺杂类型；
形成在外延层内的第二低压阱，所述第二低压阱具有第一掺杂类型；
形成在外延层内的高压阱，所述高压阱具有第一掺杂类型，其中所述第二低压阱被所述高压阱围绕；
形成在第一低压阱内的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第二掺杂类型；
形成在第二低压阱内的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区具有第二掺杂类型；
形成在第二低压阱内的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第一掺杂类型，其中第三重掺杂区毗邻所述第二重掺杂区；
形成在外延层内的场氧，所述场氧具有浅沟道隔离结构；以及
形成在外延层上的栅极区。
2.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，进一步包括：具有第一掺杂类型的掩埋层，所述掩埋层形成在所述外延层的下面。
3.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，
所述第一低压阱作为漏极体区；
所述第二低压阱作为源极体区；
所述高压阱作为支持体区。
4.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述第二低压阱的掺杂浓度高于高压阱的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，进一步包括：
与所述第一重掺杂区接触的漏极电极；以及
与所述第二重掺杂区和第三重掺杂区接触的源极电极。
6.一种高压半导体器件，其特征在于，包括：
具有第二掺杂类型的外延层；
形成在外延层内的第一低压阱，所述第一低压阱具有第二掺杂类型；
形成在外延层内的第二低压阱，所述第二低压阱具有第一掺杂类型；
形成在外延层内的高压阱，所述高压阱具有第一掺杂类型，其中所述第二低压阱被所述高压阱围绕；
形成在第一低压阱内的第一重掺杂区，所述第一重掺杂区具有第二掺杂类型；
形成在第二低压阱内的第二重掺杂区，所述第二重掺杂区具有第二掺杂类型；
形成在第二低压阱内的第三重掺杂区，所述第三重掺杂区具有第一掺杂类型，其中第三重掺杂区毗邻所述第二重掺杂区；
形成在外延层上的场氧；以及
形成在外延层和场氧上的栅极区。
7.如权利要求6所述的高压半导体器件，其特征在于，
所述第一低压阱作为漏极体区；
所述第二低压阱作为源极体区；
所述高压阱作为支持体区。
8.如权利要求6所述的高压半导体器件，其特征在于，所述第二低压阱的掺杂浓度高于高压阱的掺杂浓度。
9.如权利要求6所述的高压半导体器件，其特征在于，进一步包括：
与所述第一重掺杂区接触的漏极电极；以及
与所述第二重掺杂区和第三重掺杂区接触的源极电极。
10.如权利要求6所述的高压半导体器件，其特征在于，进一步包括：
具有第一掺杂类型的掩埋层，所述掩埋层形成在所述外延层的下面。
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