[实用新型]一种MOCVD反应设备有效
申请号: | 201320389770.0 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN203373421U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 贺有志 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C30B25/08;C30B25/14 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mocvd 反应 设备 | ||
1. 一种MOCVD反应设备,包括密封的反应腔室(1)、主进气口(2)、排气口(3)、载片盘(4)、加热组件(5),以及反应腔室底部载片盘下方的次进气口(6),其特征在于,所述加热组件的外侧、载片盘的下方设有第一隔热筒(7),所述第一隔热筒与载片盘构成一上方圆周方向设有间隙的第一腔体(14)。
2. 如权利要求1所述的MOCVD反应设备,其特征在于,所述第一隔热筒的外侧设有同轴心的第二隔热筒(8),所述排气口位于第一、第二隔热筒之间,且第一、第二隔热筒之间水平设有真空均气缓冲板(9),所述真空均气缓冲板上设有第一通孔,所述第一隔热筒上真空均气缓冲板的下方均匀设有第二通孔。
3. 如权利要求2所述的MOCVD反应设备,其特征在于,所述第一通孔的直径和数量与第二隔热筒内的气流流速成比例,所述第二通孔的直径和数量与第二隔热筒与反应腔室内壁之间的气流流速成比例。
4. 如权利要求1或3所述的MOCVD反应设备,其特征在于,所述排气口至少均匀设有2个。
5. 如权利要求4所述的MOCVD反应设备,其特征在于,所述排气口的内径小于或等于40mm。
6. 如权利要求5所述的MOCVD反应设备,其特征在于,所述次进气口位于反应腔室底部的一端设有磁流体封板。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的