[实用新型]一种异质结型太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种异质结型太阳能电池。

背景技术

同型异质结电池在普通PN结电池上淀积一层非晶硅薄膜，形成同型异质结，可在电池表面形成低阻层，从而降低电池的串联电阻，提高电池的光生电流。但该结构电池的顶电极引出困难，易使得异质结短路，不易形成异质结低阻层。

经检索发现中国发明专利申请200610024876.2，涉及一种“非晶硅-晶体硅异质结太阳能电池”，其顶电极烧至非晶硅层，通过隧道效应与下面的晶硅层欧姆接触，从而实现异质结电池。然而在实际生产工作成，烧制电极的烧入深度极难控制，一旦烧得过深穿了非晶硅，该异质结即被短路；烧的不够，隧道效应由难以实现。故该结构电池很难在产业上被生产，无法被推广。

发明内容

本实用新型的目的在于：克服上述现有技术的缺陷，提出一种异质结型太阳能电池，该电池的结构简单，易于工艺实现，生产成本低。

为了达到上述目的，本实用新型提出的异质结型太阳能电池，包括N型硅、P型硅、顶电极，其特征是所述P型硅表面淀积有掺硼的非晶硅，所述非晶硅与P型硅形成同型异质结，所述非晶硅开有纵向槽，非晶硅表面淀积有氮化硅，顶电极穿过氮化硅和非晶硅的槽与P型硅欧姆接触，所述顶电极与非晶硅绝缘。

进一步的，顶电极与非晶硅之间具有氮化硅。 

进一步的，电池的底电极位于N型硅的下表面。

更进一步的，所述纵向槽的宽度为0.2-3mm。

本实用新型电池在非晶硅上开设纵向槽，以便顶电池穿过后与P型硅连接，而顶电极与非晶硅之间由于氮化硅的存在而被绝缘，因此确保异质结的正常运行；而且电池对电极烧入深度控制要求低，只需要对准槽中央往下烧制电极，使电极烧制P型硅即可，可见本电池的制造工艺简单，能够在产业上获得推广。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型异质结型太阳能电池结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，本实施例异质结型太阳能电池，包括N型硅1、P型硅2、顶电极3、底电极7， P型硅2表面淀积有掺硼的非晶硅4，非晶硅4与P型硅2形成同型异质结，所述非晶硅4开有宽度为0.2-3mm纵向槽5，非晶硅4表面淀积有氮化硅6，顶电极3穿过氮化硅6和非晶硅4的槽5与P型硅2欧姆接触，顶电极3与非晶硅4之间具有氮化硅6，顶电极3与非晶硅4绝缘。如图1所示，底电极7位于N型硅1的下表面。

除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围。