[实用新型]一种三相分立式断路器的分合闸控制装置

权利要求书

1.一种三相分立式断路器的分合闸控制装置，与断路器的永磁操动机构连接，其特征在于包括处理器、储能电容、温度检测电路、激磁线圈电流采集电路、触头位置检测电路、驱动电路、储能电容电压检测电路以及放电控制回路，所述温度检测电路、激磁线圈电流采集电路、触头位置检测电路、驱动电路、储能电容电压检测电路以及放电控制回路分别与处理器连接，所述储能电容分别与放电控制回路以及驱动电路连接，所述触头位置检测电路与永磁操动机构断路器的触头连接。

2.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述激磁线圈电流采集电路包括两运放、霍尔传感器以及若干分压电阻，所述霍尔传感器与两运放依次串接，所述分压电阻分别对应连接于运放器的同相、反相输入端。

3.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述储能电容电压检测电路包括瞬态二极管、霍尔传感器、电容以及分压电阻，所述瞬态二极管与电容并接再与霍尔传感器的信号输出端连接，所述分压电阻连接于霍尔传感器的信号输入端。

4.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述触头位置检测电路包括一位移传感器，所述位移传感器为SN74LVCH245A芯片。

5.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述驱动电路包括驱动芯片、直流电源、光耦、IGBT、两个电容以及两mosfet管，所述两mosfet管并接，两mosfet管的对应输出端连接于IGBT的门级，两mosfet管分别连接所述直流电源的正负极形成回路，直流电源的负极与驱动芯片的电流信号采集端口连接，IGBT的发射极分别通过所述对应的电容与所述电流信号采集端口以及光耦的发光二极管一端连接，IGBT的集电极依次串接所述两二极管再与所述电流信号采集端口连接，所述发光二极管的另一端与驱动芯片的对应端连接。

6.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述放电控制电路包括电容电压检测电路与分合闸控制电路，所述电容电压检测电路包括运算放大器与线性光耦，所述线性光耦的光敏三极管一侧连接于运算放大器的同相端，所述分合闸控制电路包括绝缘栅双极型晶体管与线性光耦，所述线性光耦分别与储能电容以及绝缘栅双极型晶体管连接。

7.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述温度检测电路为一温度传感器。

8.根据权利要求1所述的分合闸控制装置，其特征在于所述处理器为DSP芯片。