[实用新型]半导体相变激发装置

权利要求书

1.一种半导体相变激发装置，其特征在于，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。 

2.根据权利要求1所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片与所述相变介质通道之间设置有导热金属片，所述导热金属片紧贴于所述半导体制冷片的制冷侧，所述相变介质通道的一端顶在所述导热金属片的表面。 

3.根据权利要求2所述的半导体相变激发装置，其特征在于，还包括保温部件，所述保温部件上设置有安装腔，所述半导体制冷片设置于所述安装腔内。 

4.根据权利要求3所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片的制冷侧朝向所述安装腔的底部，所述安装腔的底部设置有通孔，所述通孔内设置有连接管，所述连接管的中空部分为所述相变介质通道。 

5.根据权利要求4所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述连接管上套装有与所述通孔密封的密封圈。 

6.根据权利要求5所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述密封圈与所述导热金属片密封接触配合。 

7.根据权利要求1或2或3所述的半导体相变激发装置，其特征在于，所述半导体制冷片为多个，多个所述半导体制冷片层叠设置，且每两相邻所述半导体制冷片之一的制冷侧靠近或紧贴另一的散热侧。