[实用新型]一种高导热玻纤布基层压板有效
申请号: | 201320396026.3 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN203331510U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 季立富;肖升高;崔春梅 | 申请(专利权)人: | 苏州生益科技有限公司 |
主分类号: | B32B27/04 | 分类号: | B32B27/04;B32B27/20;B32B15/08;B32B19/04;B32B33/00;C08L79/08;H05K1/03 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215126 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 导热 玻纤布 基层 压板 | ||
技术领域
本实用新型属于电子材料技术领域,涉及一种高导热玻纤布基层压板。
背景技术
众所周知,大功率的线路板需要具有良好的导热散热能力,而传统的FR-4基线路板已不能满足这样的要求,这就需要提出一些新的散热解决方案。
针对上述问题,目前广为所知的电路板散热技术主要是将单层或多层印刷线路板利用绝缘散热粘结层与散热金属板(铝板、铝合金板和铜板等)进行压合,利用金属良好的散热效果以散逸电子组件所产生的热;该绝缘散热层除了提供金属基板与导电铜箔的粘合外,还必须提供良好的绝缘性能及散热性能;目前该绝缘层采用的是普通FR-4(玻璃布增强的环氧树脂)薄型料,但由于FR-4的热导率不高,仅为0.2W/M.K,因而散热效果有限,而如果这些热量不能及时地散失,而绝缘层的耐热性又不高,就会引起绝缘层的尺寸稳定性变化,耐热性下降,可靠性降低,使得电子设备的寿命降低。目前,双面铝基板的应用还存在较大的局限性,加工工艺为其中一个重要方面,为了保证上下层线路板的连接导通并达到绝缘的目的,当前双面铝基板生产的关键工艺是塞孔处理,即PCB成品要求的导电孔,需要在铝基板上一次钻孔,绝缘材料填孔,最后在填孔材料上二次钻孔。目前的填孔材料极易产生缺陷,如填孔空洞导致的短路、热冲击时的金属层剥离等,且工艺复杂。此外,金属基板的成本较高,这也是一个制约其大量应用的关键因素之一。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种高导热玻纤布基层压板。
为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种高导热玻纤布基层压板,包括双马来酰亚胺基板,所述双马来酰亚胺基板的单面或双面设有导热涂层;所述导热涂层为DLC镀膜层。
上文中,所述双马来酰亚胺基板可以为现有技术,该双马来酰亚胺基板由一种高导热热固性树脂组合物中加入溶剂搅拌均匀制成胶液,用玻纤布浸渍该胶液,然后在100~170℃下烘烤1~15分钟得到半固化片;将半固化片剪裁成一定尺寸并按厚度要求进行叠配,两面覆上离型材料,在压机上经过一定的压合程序,压制得层压板,去除离型材料后得到双马来酰亚胺基板,厚度为0.5~5毫米。
上述高导热热固性树脂组合物,按重量计,包括双马来酰亚胺树脂100份、烯丙基化合物10~100份、改性树脂0~30份、高导热填料250~600份、固化促进剂0.1~5份;
所述双马来酰亚胺树脂选自4,4’-二苯甲烷双马来酰亚胺树脂、4,4’-二苯醚双马来酰亚胺树脂和4,4’-二苯砜双马来酰亚胺树脂中的一种或几种;
所述烯丙基化合物选自二烯丙基双酚A、二烯丙基双酚S、二烯丙基二苯醚、烯丙基酚氧树脂、烯丙基酚醛树脂和烯丙基三溴苯醚中的一种或几种。
所述改性树脂选自环氧树脂、氰酸酯、酚氧树脂和聚苯醚树脂中的一种或几种;
所述高导热填料选自金属氮化物、金属氧化物、碳化物和金刚石中的一种或几种;其中,金属氮化物为氮化铝、氮化硼或氮化硅,金属氧化物为氧化铝、氧化镁或氧化铍,碳化物为碳化硅或碳化硼;
所述固化促进剂为咪唑类,选自2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑和2-苯基咪唑中的一种或几种。
双马来酰亚胺树脂通过固化反应生成的聚合物,所含极性基团多且较易极化,所以其热导率比普通环氧树脂高,热导率是普通双酚A型环氧树脂的两倍左右,可以达到0.4W/m.K;众所周知,提高树脂的热导率与通过填充更多的高导热填料来提高热导率相比,前者对板材的导热性能影响更大,因此用双马来酰亚胺树脂制作高导热的材料比普通的环氧更具有优势,而且与环氧树脂相比,具有更加优异的耐热性。
所述DLC镀膜层为现有技术,也称DLC涂层(Diamond-like Carbon),是导热能力极佳的类金刚石涂层。DLC镀膜层有着比金属还高的超高导热性能,可以将芯片产生的热在水平方向上迅速均匀地扩散开来,然后再通过基板大面积均匀地散发,这点与普通铝基板垂直方向散热,热量主要积聚于绝缘层不同。
上述技术方案中,所述双马来酰亚胺基板的厚度为0.5~5毫米。
上述技术方案中,所述双马来酰亚胺基板与导热涂层之间还设有过渡镀膜层。
上述技术方案中,所述过渡镀膜层为Si镀膜层、Cr镀膜层、Al镀膜层、Ti镀膜层和Ni镀膜层中的一种,其厚度为0.1~1微米。优选的,所述过渡层镀膜为Si镀膜层,其厚度为0.1~1微米,所述产生Si镀膜层的磁控溅射工艺中使用的为纯度99.99%以上的单晶Si靶。
上述技术方案中,所述DLC镀膜层的厚度为1~5微米。
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