[实用新型]一种并联桥式IGBT驱动装置

权利要求书

1.一种并联桥式IGBT驱动装置，其特征在于，所述的桥式并联IGBT驱动装置包括：系统控制模块（9），光纤接收模块（1）、光纤发送模块（2）、IGBT驱动模块（3）和驱动输出模块；光纤接收模块（1）的输入端连接系统控制模块（9）的脉宽调制信号输出端，光纤接收模块（1）的输出端连接IGBT驱动模块（3）的驱动信号输入端；光纤发送模块（2）的输入端连接IGBT驱动模块（3）的故障信号输出端，光纤发送模块（2）的输出端连接系统控制模块（9）的信号输入端；驱动输出模块的输入端连接IGBT驱动模块（3）的驱动信号输出端，驱动输出模块的输出端连接桥式并联IGBT电路（8）。

2.根据权利要求1所述的并联桥式IGBT驱动装置，其特征在于，所述的光纤接收模块（1）由第一、第二两个光纤接收器（U1、U2）和第一、第二两个反向施密特触发器（T1、T2）组成；所述的光纤发送模块（2）由光纤发送器（U3）、逻辑与或非门电路（U4）、第三、第四两个反向施密特触发器（T3、T4）组成；系统控制模块的第一脉宽调制光信号的输出端（O1）连接第一光纤接收器（U1）的信号输入端，第一光纤接收器（U1）的信号输出端接第一反向施密特触发器（T1）的输入端，第一反向施密特触发器（T1）的输出端连接IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动信号输入端（inA）；系统控制模块的第二脉宽调制光信号的输出端（O2）连接第二光纤接收器（U2）的信号输入端，第二光纤接收器（U2）的信号输出端接第二反向施密特触发器（T2）的输入端，第二反向施密特触发器（T2）的输出端连接IGBT驱动模块（U5）的第二路驱动信号输入端（inB）；IGBT驱动模块（U5）的两个故障输出端（SO1、SO2）经第三电阻（R3）连接到第三反向施密特触发器（T3）输入端，第三反向施密特触发器（T3）输出端连接到第四反向施密特触发器（T4）的输入端，第四反向施密特触发器（T4）的输出端连接到逻辑与或非门电路（U4）的输入端，逻辑与或非门电路（U4）的输出端连接到第一光纤发送器（U3）的信号输入端,第一光纤发送器(U3)的信号输出端连接系统控制模块的第一光信号的输入端(I1)。

3.根据权利要求1所述的并联桥式IGBT驱动装置，其特征在于，所述的IGBT驱动模块（U5）具有两路脉宽调制信号输入端和两路故障反馈输出端，两路脉宽调制信号输出端采用脉冲变压器隔离方式同时驱动两个IGBT；所述的驱动输出模块包含第一驱动输出模块（5）、第二驱动输出模块（4）、第三驱动输出模块（6）和第四驱动输出模块（7），四个驱动模块均为由二极管、电阻、电容组成的限压限流电路；

IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动集电极（CA）经第一驱动输出模块（5）的第十二电阻（R12）连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的集电极（C1）；IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动栅极（GA）经第一驱动输出模块（5）的第十三电阻(R13)连接到第一绝缘栅双极晶体管(S1)的栅极(G1)；IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动发射极（EA）经第一驱动输出模块（5）的第十四电阻（R14）连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的发射极（E1）；第一驱动输出模块（5）的第八稳压二极管（D8）的阴极连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的栅极（G1），第八稳压二极管（D8）的阳极连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的发射极（E1）；第一驱动输出模块（5）的第九稳压二极管（D9）的阳极连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的栅极（G1），第九稳压二极管（D9）的阴极经第一驱动输出模块（5）的第七电容（C7）连接到第一绝缘栅双极晶体管（S1）的发射极（E1）；第二驱动输出模块（4）的第九电阻（R9）的一端连接到第三二极管（D3）的阴极，第九电阻（R9）的另一端连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的集电极（C2）；IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动栅极（GA）经第二驱动输出模块（4）的第十电阻（R10）连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的栅极（G2）；IGBT驱动模块（U5）的第一路驱动发射极（EA）经第二驱动输出模块（4）的第十一电阻（R11）连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的发射极（E2），第二驱动输出模块（4）的第六稳压二极管（D6）的阳极连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的发射极（E2），第六稳压二极管（D6）的阴极连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的栅极（G2），第二驱动输出模块（4）的第七稳压二极管（D7）的阳极连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的栅极（G2），第七稳压二极管（D7）的阴极经第二驱动输出模块（4）的第六电容（C6）连接到第二绝缘栅双极晶体管（S2）的发射极（E2）；IGBT驱动模块（U5）的第二路驱动集电极（CB）经第八电阻（R8），第四二极管（D4）、第五二极管（D5），第三驱动输出模块（6）的第十五电阻(R15)连接到第三绝缘栅双极晶体管(S3)的集电极（C3）；IGBT驱动模块（U5）的第二路驱动栅极(GB)经第三驱动输出模块(6)的第十六电阻（R16）连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的栅极（G3）；IGBT驱动模块(U5)的第二路驱动发射极(EB)经第三驱动输出模块(6)的第十七电阻（R17）连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的发射极（E3）；第三驱动输出模块（6）的第十稳压二极管（D10）的阴极连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的栅极（G3），第十稳压二极管（D10）的阳极连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的发射极（E3），第三驱动输出模块（6）的第十一稳压二极管（D11）的阳极连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的栅极（G3），第十一稳压二极管（D11）的阴极经第三驱动输出模块（6）的第八电容（C8）连接到第三绝缘栅双极晶体管（S3）的发射极（E3）；第四驱动输出模块（7）的第十八电阻（R18）的一端连接到二极管（D5）的阴极，第十八电阻（R18）的另一端连接到第四绝缘栅双极晶体管（S4）的集电极（C4）；IGBT驱动模块（U5）的第二路驱动栅极（GB）经第四驱动输出模块（7）的第十九电阻（R19）连接到第四绝缘栅双极晶体管（S4）的栅极（G4）；IGBT驱动模块（U5）的第二路驱动发射极（EB）经第四驱动输出模块（7）的第二十电阻（R20）连接到第四绝缘栅双极晶体管（S4）的发射极（E4），第四驱动输出模块（7）的第十二稳压二极管（D12）的阳极连接到第四绝缘栅双极晶体管（S4）的栅极（G4），第十三稳压二极管（D13）的阴极经第四驱动输出模块（7）的第九电容（C9）连接到第四绝缘栅双极晶体管（S4）的发射极（E4）。