[实用新型]用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体有效
| 申请号： | 201320398823.5 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203312289U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 耿卫东;宋芃霖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 60 赫兹 天线 字形 人工 导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体，其特征在于该人工磁导体包括：
硅衬底、氧化硅缓冲层、金属层、氧化硅绝缘层和功能电路层，从下到上依次堆叠制成；硅衬底位于下面，其上面覆盖一层氧化硅缓冲层，在氧化硅缓冲层上面为一层具有分布式井字形结构阵列的金属层，在金属层上面覆盖一层氧化硅绝缘层，氧化硅绝缘层的上面为功能电路层。
2.根据权利要求1所述的人工磁导体，其特征在于，所述的金属层划分为N×N个单元，各单元之间间隔55微米，每一个单元都是以200微米为边长的正方形，正方形的中间部位具有一个井字形开槽，每一个井字形开槽由四条条状槽线相互交叉形成，每一个条状槽线长80微米，宽5微米，每两条平行的槽线之间的距离为30微米。
3.根据权利要求1或2所述的人工磁导体，其特征在于，所述的硅衬底厚度在280微米到320微米范围时，满足所述的人工磁导体中心频率60吉赫兹，带宽20吉赫兹的参数要求。
4.根据权利要求1或2所述的人工磁导体，其特征在于，所述的氧化硅绝缘层厚度为1.3微米。
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