[实用新型]具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管有效
| 申请号： | 201320400551.8 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203445144U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;庄灿阳;朱国栋 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 布拉格 反射层 倒装 芯片 发光 二级 | ||
1.具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，包括：
衬底材料；
形成于所述衬底材料上的N型层、发光层和P型层；
形成于所述N型层上的N电极；
其特征在于：
所述P型层上形成有多个分散设置的P电极；
在所述P型层表面设置布拉格反射层，所述P电极凸出于所述布拉格反射层并在所述布拉格反射层表面形成凸点。
2.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述P电极呈同心圆环阵列形式排列。
3.如权利要求2所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述N电极位于所述芯片的几何中心。
4.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述P电极呈矩阵形式排列。
5.如权利要求4所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述N型层上形成有4个分散设置的N电极，所述4个N电极分别位于所述芯片的四个角位置。
6.如权利要求1所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：还包括用于连接所述多点设置的P电极的电极连接层，所述电极连接层位于所述布拉格反射层表面。
7.如权利要求6所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述电极连接层为金属连接层。
8.如权利要求6所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：所述电极连接层为封装基板线路层。
9.如权利要求7所述的具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管，其特征在于：还包括位于所述P电极和N电极之间的绝缘层，形成P、N双电极焊接结构。
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