[实用新型]晶片表面平整度测量装置有效
| 申请号： | 201320400786.7 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203323734U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 沙恩水 | 申请（专利权）人： | 天津浩洋环宇科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/30 | 分类号： | G01B21/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 平整 测量 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片表面平整度测量装置，其特征在于：包括由多个水平并且平行并列设置的触针所组成的触针列阵，以及用于支撑触针的触针支撑座，该触针支撑座内设置有多个水平并且平行并列设置的通孔，多个触针对应穿过所述通孔并且能够在所述通孔内沿轴向左右移动；所述触针的一端为测试端，用于与晶片表面接触，其另一端设置有位移传感器。
2.如权利要求1所述的晶片表面平整度测量装置，其特征在于：所述晶片表面平整度测量装置还包括方向与触针轴向一致的滑道，滑道上设置有滑块，一晶片放置架固定在滑块上，被测量的晶片能够竖直固定在镜片放置架上。
3.如权利要求2所述的晶片表面平整度测量装置，其特征在于：所述滑道上位于滑块与触针支撑座之间设置有挡块。
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