[实用新型]一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管。

背景技术

对于静电保护器件，必须要求其触发电压应当小于内部被保护器件的损毁电压，损毁电压一般是栅氧击穿电压或者器件源漏的击穿电压。而现有的绝缘栅型场效应管在用于静电保护时，其触发电压不会低于外延层与阱区的击穿电压，因此造成其击穿电压较高，而且鉴于工艺本身的条件限制，很难作出调整。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种能降低触发电压，保护内部电路的一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管。

本实用新型所采用的技术方案是：

一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，包括具有第一导电类型的衬底，所述衬底的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层，所述衬底的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层，所述外延层上形成有多个具有第二导电类型的阱区，各所述阱区内设有两个第一导电类型接触区和一个第二导电类型接触区，各所述阱区内的第二导电类型接触区设于两个第一导电类型接触区之间，各所述阱区之间设有沟槽，所述沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，所述多晶硅栅上覆盖有层间氧化介质，所述层间氧化介质内设有接触孔，各所述阱区内的两个第一导电类型接触区和一第二导电类型接触区均通过接触孔与接地端连接，所述层间氧化介质内还设有多个位于各多晶硅栅上方的金属板，所述的多个金属板均与注入层外部连接。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的侧壁和底部均覆有栅氧化层。

进一步作为优选的实施方式，所述金属板与多晶硅栅之间的距离不小于0.35微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的宽度为0.6微米至2微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽的深度为0.35微米至1微米。

进一步作为优选的实施方式，所述衬底采用碳化硅形成。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过对绝缘栅型场效应管内部结构中的层间氧化介质进行优化，有效解决了在静电保护时触发电压过高的问题，大大提升了器件泄放电流的能力。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明：

图1是本实用新型一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管的结构示意图。

具体实施方式

参照图1，本实用新型一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，包括具有第一导电类型的衬底1，所述衬底1的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层2，所述衬底1的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层3，所述外延层3上形成有多个具有第二导电类型的阱区4，各所述阱区4内设有两个第一导电类型接触区41和一个第二导电类型接触区42，各所述阱区4内的第二导电类型接触区42设于两个第一导电类型接触区41之间，相邻两个阱区4之间设有沟槽5，所述沟槽5内填充有多晶硅形成多晶硅栅51，所述多晶硅栅51上覆盖有层间氧化介质6，所述层间氧化介质6内设有接触孔61，各所述阱区4内的两个第一导电类型接触区41和一第二导电类型接触区42均通过接触孔61与接地端连接，所述层间氧化介质6内还设有多个位于各多晶硅栅51上方的金属板62，所述的多个金属板62均与注入层2外部连接。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的侧壁和底部均覆有栅氧化层52。

进一步作为优选的实施方式，所述金属板62与多晶硅栅51之间的距离不小于0.35微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的宽度为0.6微米至2微米。

进一步作为优选的实施方式，所述沟槽5的深度为0.35微米至1微米。

进一步作为优选的实施方式，所述衬底1采用碳化硅形成。

其中，第一导电类型接触区41作为场效应管的源极，注入层2作为场效应管的漏极，金属板62与多晶硅栅51之间形成电容结构，当有静电从静电端进入时，静电会到达金属板62上，使得在多晶硅栅51上耦合形成电压，从而触发绝缘栅型场效应管中寄生的三极管开启泄放电流，达到降低触发电压的目的。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。