[实用新型]一种大电流场效应管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，特别是涉及一种散热效果好的大电流场效应管。

背景技术

目前常用的场效应管主要由环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内部的芯片和引线框架等组成。而现有的大电流场效应管一般采用TO-220封装，采用TO-220封装可以装载大尺寸的芯片，但是芯片在通电后由于大电流而产生高热量容易导致场效应管温度不停上升，从而导致场效应管的电参数发生变化，进一步导致场效应管的温度升高，当温度上升到一定程度时，场效应管将失效且无法恢复。因此，目前的TO-220封装已经无法满足大电流场效应管的散热需求。

实用新型内容

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的是提供一种散热效果好的大电流场效应管。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种大电流场效应管，包括热沉、绝缘外壳、场效应管芯片、漏极引脚、栅极引脚及源极引脚；

所述热沉嵌在绝缘外壳的外表面上并与绝缘外壳构成一密闭的封装腔体，所述热沉与漏极引脚连为一体，所述漏极引脚的根部、栅极引脚的根部及源极引脚的根部固定在绝缘外壳上并伸入封装腔体内；

所述场效应管芯片设置在热沉的正面中间处，所述场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上，所述场效应管芯片的栅极通过第一金线与栅极引脚连接，所述场效应管芯片的源极通过第二金线与源极引脚连接。

进一步，所述封装腔体内填充有用于包覆热沉的正面、漏极引脚的根部、栅极引脚的根部、源极引脚的根部、第一金线、第二金线及场效应管芯片的导热绝缘胶体。

进一步，所述场效应管还设置有贯穿热沉、封装腔体及绝缘外壳的定位孔。

进一步，所述绝缘外壳上还设有第一定位槽及第二定位槽，所述第一定位槽和第二定位槽与定位孔处于同一水平线上。

进一步，所述绝缘外壳的厚度为4~6mm，所述绝缘外壳的长度为20~22mm，所述绝缘外壳的宽度为15~18mm，所述热沉的厚度为0.8~1.2mm，所述热沉的长度为15~18mm，所述热沉的宽度为12~15mm。

进一步，所述漏极引脚、栅极引脚及源极引脚的厚度均为0.5mm，所述栅极引脚的根部宽度及源极引脚的根部宽度均为1.0mm，所述漏极引脚的根部宽度为1.5mm。

进一步，所述第一金线及第二金线的直径为1.2μm。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种大电流场效应管，在绝缘外壳上嵌有热沉，且热沉与场效应管的漏极引脚为一体化连接，场效应管芯片的漏极直接贴装在热沉上，源极及栅极分别通过金线连接到对应的引脚，散热效果更好，提高了工作效率，同时也延长了场效应管的使用寿命。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的大电流场效应管的侧面示意图；

图2是本实用新型的大电流场效应管的正面示意图；

图3是本实用新型的大电流场效应管的背面示意图。

具体实施方式

参照图1、图2及图3，本实用新型提供了一种大电流场效应管，包括热沉1、绝缘外壳2、场效应管芯片3、漏极引脚4、栅极引脚5及源极引脚6；

所述热沉1嵌在绝缘外壳2的外表面上并与绝缘外壳2构成一密闭的封装腔体，所述热沉1与漏极引脚4连为一体，所述漏极引脚4的根部、栅极引脚5的根部及源极引脚6的根部固定在绝缘外壳2上并伸入封装腔体内；

所述场效应管芯片3设置在热沉1的正面中间处，所述场效应管芯片3的漏极直接贴装在热沉1上，所述场效应管芯片3的栅极通过第一金线7-1与栅极引脚5连接，所述场效应管芯片3的源极通过第二金线7-2与源极引脚6连接。

场效应管芯片3的底部为漏极D，通过导电胶贴装热沉1上，或者通过共晶焊方式贴装在热沉1上即连接到漏极引脚4上；场效应管芯片3的正面为栅极G及源极S，栅极G通过第一金线7-1与栅极引脚5，源极S通过第二金线7-2与源极引脚6连接。

热沉1与漏极引脚4是一体化连接的，散热效果更好，而且采用金线作为连接线，比采用铝线、铜线等现有封装结构导热效果更好。

在图1至图3中没有标出封装腔体，封装腔体的大小主要是由绝缘外壳2的壳壁厚度决定的，壳壁厚度越小，则封装腔体越大，壳壁厚度越大，则封装腔体越小。