[实用新型]一种多晶硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，其结构依次包括：FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。 

2.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，N型ZnO纳米阵列直接深入至Si薄膜的内部，多晶硅薄膜全面包覆ZnO纳米阵列的结构。 

3.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，在ZnO籽晶层生长N型掺杂ZnO纳米阵列结构。 

4.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，在ZnO纳米阵列基础上沉积P型掺杂多晶硅薄膜，P型多晶硅薄膜包覆ZnO纳米阵列。 

5.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于，在P型多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。