[实用新型]三频射频收发通信定位装置有效
申请号: | 201320411182.2 | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN203350454U | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 李红;吕贵涛;张宝良;董卫列;陈实 | 申请(专利权)人: | 无锡星融恒通科技有限公司 |
主分类号: | G01S19/42 | 分类号: | G01S19/42;G01S19/52 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214101 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 收发 通信 定位 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种通信定位装置,尤其是一种三频射频收发通信定位装置,属于卫星通信及定位的技术领域。
背景技术
“北斗”卫星导航定位系统需要发射35颗卫星。其中有5颗静止轨道卫星和30颗非静止轨道卫星组成,采用“东方红”-3号卫星平台。30颗非静止轨道卫星又细分为27颗中轨道(MEO)卫星和3颗倾斜同步(IGSO)卫星组成,27颗MEO卫星平均分布在倾角55度的三个平面上,轨道高度21500公里。“北斗” 卫星导航定位系统将提供开放服务和授权服务。开放服务在服务区免费提供定位,测速和授时服务,定位精度为10米,授时精度为50纳秒,测速精度为0.2米/秒。向授权用户提供更安全与更高精度的定位,测速,授时服务,外加继承自北斗RDSS(Radio Determination Satellite Service)系统的通信服务功能,将充分发挥北斗系统的所有优势。
现实应用过程中,通过“北斗一号”卫星定位系统实现定位的过程包括:用户终端通过其射频收发装置向卫星定位系统发送射频信号,卫星定位系统接收到该射频信号后,通过转发器将信号转发到中心控制子系统,由中心控制子系统进行相关处理后,将结果返回到卫星定位系统,再由卫星定位系统的转发器向用户终端发送处理结果实现定位。由此可见,定位效果的好坏以及方便与否等指标与射频收发装置的性能具有紧密联系。进一步射频收发装置内部由于存在几个不同的工作频率,各个频率之间的相互干扰也会使得射频收发装置的性能下降,甚至不能工作。这种相互干扰可以理解为电磁兼容的一部分。
由于上面提到的电磁兼容的问题,现有的射频收发装置通常是将北斗RDSS收发器和北斗RNSS(Radio Navigation Satellite System)接收器作为两个独立的组件分别使用。目前,当需要同时实现北斗RDSS和北斗RNSS的通信服务时,会增大通信设备的体积,两套系统就要分别供电,分别采集数据等等,这无疑增加了使用者的难度。同时,如何避免多种信号间的干扰是将北斗RDSS和北斗RNSS通信服务的难题。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种三频射频收发通信定位装置,其结构紧凑,抗干扰能力强,体积小,使用方便,降低使用成本,安全可靠。
按照本实用新型提供的技术方案,所述三频射频收发通信定位装置,包括用于RDSS系统定位及通信的RDSS电路,所述RDSS电路包括对外接口及电源电路;所述对外接口及电源电路还与用于RNSS定位测速或GPS定位测速的北斗RNSS及GPS组合模块连接,RDSS电路与北斗RNSS及GPS组合模块配合实现所需的RDSS系统定位、短报文通信和/或RNSS定位测速、GPS定位测速。
所述RDSS电路、北斗RNSS及GPS组合模块位于壳体内;RDSS电路还包括低噪声放大器、功率放大器、射频变频电路、时钟处理电路、基带处理电路及SIM卡电路;所述低噪声放大器的输出端与射频变频电路连接,射频变频电路的输出端与功率放大器连接,且射频变频电路还与基带处理电路连接,基带处理电路及射频变频电路与时钟处理电路连接,基带处理电路与SIM卡电路的输出端连接;
所述低噪声放大器、功率放大器、射频变频电路、时钟处理电路、基带处理电路及SIM卡电路位于壳体的第一侧,北斗RNSS及GPS组合模块、对外接口及电源电路位于壳体的第二侧,所述第二侧与第一侧为相对应分布的两侧面;壳体的第一侧设置第一金属隔离腔、第二金属隔离腔及第三金属隔离腔;功率放大器位于第一金属隔离腔内,低噪声放大器位于第二金属隔离腔内,射频变频电路、时钟处理电路、基带处理电路及SIM卡电路位于第三金属隔离腔内;壳体的第二侧设置第四金属隔离腔及第五金属隔离腔,北斗RNSS及GPS组合模块位于第四金属隔离腔内,对外接口及电源电路位于第五金属隔离腔内。
所述第一金属隔离腔及第二金属隔离腔位于第三金属隔离腔的两侧。
所述壳体的第一侧设置用于形成第一金属隔离腔的第一隔离围墙、用于形成第二金属隔离腔的第二隔离围墙及用于形成第三金属隔离腔的第三隔离围墙。
所述第一隔离围墙、第二隔离围墙及第三隔离围墙的材料为镁铝合金。
所述壳体的第二侧设置用于形成第四金属隔离腔的第四隔离围墙及用于形成第五金属隔离腔的第五隔离围墙。
所述低噪声放大器的噪声系数为1~1.2。
所述对外接口及电源电路中对外接口包括TTL电平串行接口和/或RS232串行接口。
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