[实用新型]一种有源钳位反激电路的辅开关管隔离驱动电路

权利要求书

1.一种有源钳位反激电路的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于包括：

第三绕组N3，设于有源钳位反激电路的主变压器次级侧；

驱动处理电路，第三绕组N3的感应电压作为其输入；

延时电路，对来自驱动处理电路的信号延时；

死区控制电路，其输入端Vi输入来自延时电路的信号，其信号采集端A输入来自驱动处理电路的信号，其输出端Vo输出驱动辅开关管的第二PWM信号；

当主控制电路产生第一PWM信号控制主开关管导通时，第三绕组N3的电压经驱动处理电路后，为关断逻辑电平信号，送至死区控制电路的信号采集端A，使死区控制电路的输出端Vo输出控制辅开关管截止的第二PWM信号，当主控制电路产生第一PWM信号控制主开关管截止时，第三绕组N3的感应电压经驱动处理电路后，为导通逻辑电平信号，送至死区控制电路的信号采集端A，同时，该驱动处理电路输出的电平信号经延时电路延时后送至死区控制电路的输入端Vi，当该输入端Vi接收的电平信号在比较电压阀值上下限Vth、Vtl之间时，使死区控制电路的输出端Vo输出控制辅开关管导通的第二PWM信号。

2.根据权利要求1所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：还包括用于提供驱动处理电路和死区控制电路所需工作电压的供电电路，第三绕组N3的感应电压作为所述供电电路的输入电压。

3.根据权利要求2所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：所述供电电路包括整流二极管D1、电容C1和稳压管Z1，所述第三绕组N3的同名端连接稳压管Z1的阳极和模拟地，异名端连接整流二极管D1的阳极，电容C1和稳压管Z1并联，整流二极管D1的阴极连接稳压管Z1的阴极，该连接点为供电电压端Vin；当主控制电路产生PWM信号控制主开关管导通时，第三绕组N3与主变压器原边绕组耦合隔离，该第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为上正下负，整流二极管D1截止，模拟地为高电平，电容C1放电供电，当主开关管关断时，第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为下正上负，整流二极管D1导通供电，模拟地为低电平，电容C1充电。

4.根据权利要求1所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：所述驱动处理电路包括场效应管NMOS管Q1和PMOS管Q2，所述第三绕组N3的异名端连接NMOS管Q1和PMOS管Q2的栅极，NMOS管Q1的漏极连接供电电压端Vin，PMOS管Q2的漏极连接模拟地，NMOS管Q1和PMOS管Q2的源极相连，其连接点为驱动处理电路的输出端；当主控制电路产生PWM信号控制主开关管导通时，第三绕组N3与主变压器原边绕组耦合隔离，该第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为上正下负，PMOS管Q2导通，则驱动处理电路输出低电平信号，该低电平信号为关断逻辑电平信号，当主开关管关断时，第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为下正上负，NMOS管Q1导通，驱动处理电路输出高电平信号，该高电平信号为导通逻辑电平信号。

5.根据权利要求1所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：所述驱动处理电路包括三极管NPN管Q1和PNP管Q2，所述第三绕组N3的异名端经电阻R2连接NPN管Q1和PNP管Q2的基极，NPN管Q1的集电极连接供电电压端Vin，PNP管Q2的集电极连接模拟地，NPN管Q1和PNP管Q2的发射极相连，其连接点为驱动处理电路的输出端；当主控制电路产生PWM信号控制主开关管导通时，第三绕组N3与主变压器原边绕组耦合隔离，该第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为上正下负，PNP管Q2导通，则驱动处理电路输出低电平信号，该低电平信号为关断逻辑电平信号，当主开关管关断时，第三绕组N3的同名端与异名端间产生电压为下正上负，NPN管Q1导通，驱动处理电路输出高电平信号，该高电平信号为导通逻辑电平信号。

6.根据权利要求4或5所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：所述延时电路包括电阻R1和电容C2，电阻R1的一端连接驱动处理电路的输出端，另一端连接电容C2的一端，该电容C2的另一端接模拟地，电阻R1和电容C2的连接点为延时电路的输出端；当主开关管导通时，驱动处理电路输出低电平信号，电容C2放电，延时电路输出端的信号电压降低，当主开关管关断时，驱动处理电路输出高电平信号，该高电平信号通过电阻R1向电容C2充电，延时电路输出端的信号电压上升。

7.根据权利要求6所述的辅开关管隔离驱动电路，其特征在于：所述延时电路还包括泄放二极管D2，该泄放二极管D2的阴极连接驱动处理电路的输出端，阳极连接电阻R1和电容C2的连接点。