[实用新型]一种能提高数据线关键尺寸均匀性的掩膜板及阵列基板有效
申请号: | 201320414732.6 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN203337996U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 刘耀;丁向前;李梁梁;白金超;赵亮;刘晓伟;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 数据线 关键 尺寸 均匀 掩膜板 阵列 | ||
1.一种能提高数据线最终关键尺寸均匀性的掩膜板,所述掩膜板中包括用于形成数据线的数据线掩膜图形,其特征在于,对应于阵列基板上近连接线区域内的所述数据线掩膜图形的宽度大于预设的所述数据线掩膜图形的宽度,对应于阵列基板上远连接线区域内的所述数据线掩膜图形的宽度等于预设的所述数据线掩膜图形的宽度。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,近连接线区域内的所述数据线掩膜图形的宽度比预设的所述数据线掩膜图形的宽度宽0.5um~0.7um。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板还包括用于形成连接线的连接线掩膜图形。
4.一种阵列基板,其特征在于,应用权利要求1-3任意项所述掩膜板制备所述阵列基板的数据线,所述阵列基板近连接线区域内数据线的宽度与所述阵列基板远连接线区域内数据线的宽度相等,都等于预设数据线的宽度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备