[实用新型]一种单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置有效

专利信息
申请号: 201320416938.2 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN203382502U 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 周智勇;韩一松;翟晖;谭芳;顾燕新 申请(专利权)人: 杭州杭氧股份有限公司
主分类号: C01B23/00 分类号: C01B23/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 311241 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶硅 制备 工艺 排放 净化 回收 装置
【权利要求书】:

1.一种单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置,该装置包含有:

一对单晶硅炉排放的粗氩气进行粗油过滤的粗氩气收集预处理系统(A),

一对粗氩气进行精密油过滤的压缩除油系统(B),

一除去粗氩气中一氧化碳、烷烃与氧组分的催化反应系统(C),

一除去粗氩气中二氧化碳和水分的纯化系统(D),

一除去粗氩气中氮和氢组分的低温精馏系统(E),

一为低温精馏系统制取氮气提供原料气来源的空气处理系统(F),

一对整套装置进行控制的自动控制系统;

    在粗氩气收集预处理系统(A)中设置一台氩气缓冲罐(4),用于稳定粗氩气进入氩气压缩机(5)前的压力;

在催化反应系统(C)中采用了高温回热器(8)对在烷烃催化炉(10)中完成催化反应后的高温氩气的热量进行回收,并对即将进行催化反应的粗氩气进行预热;

纯化系统(D)中的吸附器采用两台切换使用,一台工作时,另一台再生。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置,其特征在于在催化反应系统(C)加氢除氧步骤中使用的氢气来源于水电解氢气发生装置(30)或满足工艺需求的高纯氢气,保证了氢气的高纯度,同时避免了将其它杂质气体带入粗氩气中;所述纯化系统(D)中的吸附器,可采用分子筛单层吸附床结构,也可采用分子筛加氧化铝的双层吸附床结构。

3.根据权利要求1或2所述的单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置,其特征在于所述纯化系统(D)中的吸附器,采用立式径向流吸附床形式,或采用卧式吸附床形式。

4.根据权利要求1所述的单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置,其特征在于所述低温精馏系统(E)中,分离氩气中氮、氢杂质的氩精馏塔采用高效规整填料精馏塔,可以提高氩气提取率和精馏塔负荷调节能力并减少精馏能耗。

5.    根据权利要求1或4所述的单晶硅制备工艺中排放氩气的净化回收装置,其特征在于所述的低温精馏系统(E)中,分离空气中氮组分的氮精馏塔采用规整填料结构,也可采用散堆填料结构或筛板塔结构。

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