[实用新型]一种改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃有效

专利信息
申请号: 201320420931.8 申请日: 2013-07-16
公开(公告)号: CN203391416U 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 唐华明 申请(专利权)人: 苏州华东镀膜玻璃有限公司
主分类号: B32B17/06 分类号: B32B17/06;B32B15/04;B32B33/00;C03C17/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 强度 透射率 镀膜 玻璃
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种镀膜玻璃,尤其涉及一种改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃。

背景技术

过量的光辐射对人类生活和生产环境造成不亮影响的现象。如可见光、红外线和紫外线造成的污染。为了减少光污染,需要提供低透射率(Low-E)镀膜玻璃。所谓透射率是指入射光经过折射穿过物体后的出射现象;为了表示透明体透过光的程度,通常用入射光通量与透过后的光通量之比T来表征物体的透光性质,T称为光透射率。

改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃是在浮法玻璃基片表面上镀上纯铜膜层,以降低玻璃辐射率阻隔红外热辐射。根据不同的使用需要,在银膜层的两侧面分别镀制适当的保护层和匹配层,使其具有所需求的可见光透过率,以保持必要的室内光线照度,同时兼顾且降低太阳光谱中的红外线辐射进入室内以降低室内的热负荷,并较好的防止过量紫外线辐射进入室内。

目前常规Low-E镀膜膜层结构:四氮化三硅+镍铬+银+镍铬+四氮化三硅;现Low-E镀膜玻璃主要有两种生产方式:1.在线高温热解沉积法2.离线真空溅射法,其中现在最为流行的镀膜玻璃生产方式为离线真空溅射法。现有技术是采用真空磁控溅射镀膜技术,将辐射率极低的金属银(Ag)及其它金属和金属化合物均匀地镀在玻璃表面而制成的,一般采用的镀膜结构四氮化三硅+镍铬+银+镍铬+四氮化三硅,此膜系透射率一般在40%,对可见光的反射率约为30%左右。由此可见,采用现有镀膜膜层,其对可见光的反射率略高,光污染也略高,而且室内采光效果略低。此外,现有膜层结构较为脆弱,银膜层也容易氧化退化。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,能够降低可见光的反射率,增强室内采光效果,并且提高膜层的稳定性和深加工的可靠性。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,包括玻璃基片,其中,所述玻璃基片上依次镀有第一四氮化三硅膜层、第一镍铬膜层、铜膜层、第二镍铬膜层、氧化锌膜层和第二四氮化三硅膜层。

上述的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,其中,所述第一四氮化三硅膜层和第二四氮化三硅膜层的厚度相同。

上述的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,其中,所述第一镍铬膜层和第二镍铬膜层的厚度相同。

本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,通过增加一层氧化锌膜层并采用铜膜层代替银膜层,从而大大降低可见光的反射率,增强室内采光效果,并且膜层不易氧化退化,提高膜层的稳定性和深加工的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃结构示意图。

图中:

1玻璃基片      2第一四氮化三硅膜层    3第一镍铬膜层

4铜膜层        5第二镍铬膜层          6第二四氮化三硅膜层

7氧化锌膜层

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。

图1为本实用新型的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃结构示意图。

请参见图1,本实用新型提供的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃包括玻璃基片1,其中,所述玻璃基片1上依次镀有第一四氮化三硅膜层2、第一镍铬膜层3、铜膜层4、第二镍铬膜层5、氧化锌膜层7和第二四氮化三硅膜层6。

本实用新型提供的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,其中,所述第一四氮化三硅膜层2和第二四氮化三硅膜层6的厚度最好相同;所述第一镍铬膜层3和第二镍铬膜层5的厚度最好相同以便进一步降低可见光的反发射率。

为了保证膜层的厚度和均匀度,可采用真空磁控溅射镀膜技术,在玻璃基片上分别镀上上述膜层;将镀好的膜层进过可靠的光学及热学测试,本实用新型提供的的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃的反射率明显降低到16%左右。由此可见,本实用新型提供的改善膜层强度的低透射率镀膜玻璃,通过增加一层氧化锌膜层并采用铜膜层代替银膜层,从而大大降低可见光的反射率,增强室内采光效果,并且膜层不易氧化退化,提高膜层的稳定性和深加工的可靠性。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本实用新型,任何本领域技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

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