[实用新型]InN/AlN/玻璃结构

说明书

技术领域

本实用新型属于新型光电材料技术领域，尤其涉及一种InN/AlN/玻璃结构。

背景技术

氮化铟（InN）是Ⅲ族氮化物中的重要成员，与GaN和AlN相比，InN的迁移率和尖峰速率等都是最高的，在高速高频晶体管等电子器件的应用上有独特优势；其室温带隙位于近红外区，也适于制备高效率太阳能电池、半导体发光二极管及光通信器件等光电器件。现有InN光电薄膜一般生长在蓝宝石等一些基片上。众所周知，蓝宝石基片的价格较高，用它作为InN材料的衬底，使InN材料基的器件的成本很难降下来，严重阻碍了InN材料器件的发展。

发明内容

本实用新型就是针对上述问题，提供一种电学性能良好且成本低的InN/AlN/玻璃结构。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案，本实用新型包括玻璃基片，其结构要点玻璃基片上沉积有AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄膜上沉积有InN光电薄膜。

作为一种优选方案，本实用新型所述AlN缓冲层薄厚度为30～200nm。

作为另一种优选方案，本实用新型所述InN光电薄膜的厚度为200nm～800nm。

作为另一种优选方案，本实用新型所述所述玻璃基片为康宁玻璃基片。

作为另一种优选方案，本实用新型所述玻璃基片的厚度为0.2mm～0.8mm。

作为另一种优选方案，本实用新型所述AlN缓冲层薄膜厚度为200nm，InN光电薄膜的厚度为800nm。

作为另一种优选方案，本实用新型所述AlN缓冲层薄膜厚度为30nm，InN光电薄膜的厚度为200nm。

作为另一种优选方案，本实用新型所述AlN缓冲层薄膜厚度为80nm，InN光电薄膜的厚度为500nm。

其次，本实用新型所述AlN缓冲层薄膜厚度为60nm，InN光电薄膜的厚度为700nm。

另外，本实用新型所述AlN缓冲层薄膜厚度为50nm，InN光电薄膜的厚度为600nm。

本实用新型有益效果。

本实用新型通过在AlN/玻璃基片衬底上沉积制备出高质量的InN光电薄膜，成本非常低。另外，本实用新型在AlN/玻璃基片结构上的InN光电薄膜产品经测试具有良好的电学性能和稳定性，易于制备出高频率大功率的器件。其次，AlN与InN具有相似的晶体结构，作为InN与玻璃之间的缓冲层，很好的解决了InN外延层与玻璃衬底之间存在的晶格失配问题。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。本实用新型保护范围不仅局限于以下内容的表述。

图1为本实用新型InN/AlN/玻璃基片结构X射线衍射图谱。

图2为本实用新型实例1InN/AlN/玻璃基片结构的原子力显微镜（AFM）测试图像。

图3为本实用新型实例1InN/AlN/玻璃基片结构的扫描电子显微镜（SEM）测试图像。

图4为本实用新型实例2InN/AlN/玻璃基片结构的扫描电子显微镜（SEM）测试图像。

图5为本实用新型InN/AlN/玻璃基片结构示意图。

图5中,1为玻璃基片，2为AlN薄膜缓冲层，3为InN光电薄膜。

具体实施方式

如图所示，本实用新型包括玻璃基片，玻璃基片上沉积有AlN缓冲层薄膜，AlN缓冲层薄膜上沉积有InN光电薄膜。

所述AlN缓冲层薄厚度为30～200nm。

所述InN光电薄膜的厚度为200nm～800nm。

所述所述玻璃基片为康宁玻璃基片。

所述玻璃基片的厚度为0.2mm～0.8mm。

所述AlN缓冲层薄膜厚度为200nm，InN光电薄膜的厚度为800nm。

所述AlN缓冲层薄膜厚度为30nm，InN光电薄膜的厚度为200nm。

所述AlN缓冲层薄膜厚度为80nm，InN光电薄膜的厚度为500nm。

所述AlN缓冲层薄膜厚度为60nm，InN光电薄膜的厚度为700nm。