[实用新型]自组装磁存储记忆体有效
| 申请号： | 201320427733.4 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN203552697U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;杨阳 | 申请（专利权）人： | 江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组装 存储 记忆体 | ||
【权利要求书】：
1.自组装磁存储记忆体，其特征在于，包括记忆体本体（1），所述记忆体本体（1）包括圆盘形硬盘衬底（101），所述硬盘衬底（101）一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽（1011），所述轨道凹槽（1011）中设有二氧化硅纳米球（1012）阵列，所述二氧化硅纳米球（1012）接触空气的表面设有铁铂薄膜层（1201）。
2.根据权利要求1所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述铁铂薄膜层（1201）在所述二氧化硅纳米球（1012）表面其随纬度梯度形成连续的厚度变化，在所述二氧化硅纳米球（1012）边缘处厚度减小为零，自然地隔离了相邻二氧化硅纳米球（1012）之间的磁耦合关联。
3.根据权利要求2所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述二氧化硅纳米球（1012）的直径为20nm-50nm。
4.根据权利要求2所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述铁铂薄膜层（1201）最高点的厚度为10nm。
5.根据权利要求1至4中任一所述的自组装磁存储记忆体，其特征在于，所述轨道凹槽（1011）的宽度为所述二氧化硅纳米球（1012）直径的整数倍。
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