[实用新型]一种承载治具及等离子体增强化学气相沉积设备有效
申请号: | 201320428955.8 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN203582970U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 田晓敏;苗为民;李建;郭铁;孟原 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 承载 等离子体 增强 化学 沉积 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏的生产设备技术领域,尤其涉及到一种承载治具及等离子体增强化学气相沉积设备。
背景技术
随着太阳能光伏行业的发展,作为朝阳产业的太阳能电池制造企业也迅速蓬勃发展,太阳能电池制造技术也得到不断改进。近些年,一种异质结晶膜电池制备技术诞生,大幅度提升了制备出的太阳能电池的太阳能转化率。采用异质结晶膜电池制备技术生产的太阳能电池在生产过程中需在硅片上进行镀膜。
目前,太阳能电池制造行业内采用的等离子体增强化学气相沉积法对硅片进行镀膜,等离子体增强化学气相沉积技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长,在硅片上形成薄膜的技术。现有的等离子体增强化学气相沉积设备包括多个镀膜腔体,在硅片进行镀膜时,需要将硅片放置在承载治具内并通过叉送装置送入到镀膜腔体内进行镀膜,现在行业内通常采用石墨托盘来盛放硅片进行镀膜,现有的石墨托盘整体为框状结构,并在片状结构上加工出多个盛放硅片的镂空结构,在镂空结构的底部具有托住硅片的凸起。
现有技术的缺陷在于,由于石墨托盘采用框状结构,在加工时容易出现破碎,加工难度较大,因此无法加工出大量承载硅片的结构,同时在承载硅片镀膜过程中石墨托盘容易在送入镀膜腔体的过程中出现破碎,影响硅片镀膜的生产效率。
实用新型内容
本实用新型提供了一种承载治具及等离子体增强化学气相沉积设备,用以提高硅片镀膜的生产效率。
本实用新型提供了一种承载治具,包括金属托盘,且所述金属托盘具有多个硅片盛放槽。
优选的,所述多个硅片盛放槽阵列排列。
优选的,所述硅片盛放槽针对硅片的每一个角设置有避让槽,所述硅片的角位于对应的避让槽内。
优选的,所述硅片避让槽的槽壁为弧形槽壁。
优选的,所述金属托盘的表面具有氧化层。
优选的,所述硅片盛放槽的底面具有至少一个通孔;
所述承载治具还包括顶出装置,所述顶出装置包括位于硅片盛放槽内的翻片和与翻片底部固定连接并分别伸出每一个通孔的支撑杆。
优选的,所述通孔的个数为四个。
优选的,所述金属托盘为铝合金托盘。
本实用新型还提供了一种等离子体增强化学气相沉积设备,包括多个镀膜腔体,每个所述镀膜腔体内具有承载治具以及支撑承载治具的支撑件,所述承载治具为上述任一项所述的承载治具。
本实用新型有益效果如下:采用具有硅片盛放槽的金属托盘承载硅片在等离子体增强化学气相沉积设备中进行镀膜,由于金属托盘具有一定的强度,因此,金属托盘上可以加工出大量的硅片盛放槽,提高了单次镀膜的硅片数量,同时,采用金属托盘还可以避免在进行镀膜加工时出现托盘破碎,进一步的提高了硅片镀膜的生产效率。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的承载治具的结构示意图;
图2为图1中A处的局部放大图;
图3为本实用新型实施例提供的承载治具的剖视图;
图4为本实用新型实施例提供的具有翻片的承载治具的结构示意图。
附图标记:
10-金属托盘 20-硅片盛放槽 21-硅片避让槽
22-通孔 30-翻片 31-支撑杆
具体实施方式
为了提高硅片镀膜的生产效率,本实用新型实施例提供了一种承载治具。在本实用新型的技术方案中,通过采用具有多个硅片盛放槽的金属托盘来承载硅片,避免了硅片在镀膜时承载治具出现破损,提高了硅片镀膜的生产效率。为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,以下举实施例对本实用新型作进一步详细说明。
如图1所示,图1为本实用新型实施例提供的承载治具的结构示意图。
本实用新型实施例提供了一种承载治具,包括金属托盘10,且所述金属托盘10具有多个硅片盛放槽20。
利用本实用新型实施例提供的承载治具在硅片采用等离子体增强化学气相沉积法进行生产时,将硅片放置在硅片盛放槽20内,通过叉送装置将盛放有硅片的金属托盘10放置到等离子体增强化学气相沉积设备的镀膜腔体中,硅片在镀膜腔体中采用等离子体增强化学气相沉积法进行镀膜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的