[实用新型]触摸屏有效

专利信息
申请号: 201320429047.0 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN203588217U 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 刘芳;张迅;张春姣;易伟华 申请(专利权)人: 江西沃格光电股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 338004 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 触摸屏
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种显示面板,特别是涉及一种触摸屏。

背景技术

目前电容屏产品的结构在都是把线路做在玻璃盖板的下表面,具体有G+F(玻璃盖板+ITO膜(铟锡氧化物半导体)),G+F+F(玻璃盖板+两层ITO膜),G+G(玻璃盖板+ITO功能片),OGS(单片玻璃);且产品设计的功能图案结构也有双面双层、单面多层设计结构、单面双层产品结构。

G+F(玻璃盖板+ITO膜),G+F+F(玻璃盖板+两层ITO膜),G+G(玻璃盖板+ITO功能片),OGS(单片玻璃)产品结构在产品厚度方面都存在一定的局限性。目前最薄的触摸屏为OGS产品,由于其触摸线路层成型在盖板上,在制备过程之温度达到数百摄氏度,所以对盖板的耐高温要求较高。还因为,触摸屏制造过程中,必然是大张盖板制造,然后切割成若干小块,为此还需要保证盖板在切割时不易破碎以及冲击性能测试能够满足要求。综合上述因素,传统的触摸屏的盖板只能选用最薄在0.5mm的玻璃盖板,无法进一步薄化。

实用新型内容

基于此,有必要提供一种可更薄化的触摸屏。

一种触摸屏,包括依次贴附的:液晶面板层、屏蔽ITO层、透明绝缘层、触摸线路层、偏光片以及盖板。

其中一个实施例中,所述盖板为PET板。

其中一个实施例中,所述盖板厚度小于0.5mm。

相对传统的触摸屏结构而言,传统的触摸功能层是制备在玻璃盖板上,本案的触摸功能层则是制备于液晶面板层的玻璃板上,然后贴附偏光片,盖板为独立附加的保护层。换句话说,盖板不参与屏蔽ITO层、透明绝缘层和触摸线路层的制备过程,那么本案的盖板则无需具备耐高温性能,也便可以选择玻璃以外的能够达到硬度要求的材质即可。如PET板和环氧树脂板等能够在厚度小于0.5mm时达到硬度要求。如此便可以实现触摸屏的进步一薄化。

附图说明

图1为本实用新型一较佳实施例触摸屏10的层级结构示意图。

具体实施方式

如图1所示,其为本实用新型一较佳实施例的触摸屏10的层级结构示意图,触摸屏10包括依次贴附的:液晶面板层101、屏蔽ITO(铟锡氧化物半导体)层102、透明绝缘层103、触摸线路层104、偏光片105以及盖板106。

相对传统的触摸屏结构而言,传统的触摸功能层是制备在玻璃盖板上,本案的触摸功能层则是制备于液晶面板层101的玻璃板上,然后贴附偏光片105,盖板106为独立附加的保护层。换句话说,盖板106不参与屏蔽ITO层102、透明绝缘层103和触摸线路层104的制备过程,那么本案的盖板106则无需具备耐高温性能,也便可以选择玻璃以外的能够达到硬度要求的材质即可。如PET板和环氧树脂板等能够在厚度小于0.5mm时达到硬度要求。如此便可以实现触摸屏的进步一薄化。

上述触摸屏10的具体制备方法如下:

TFT玻璃CELL通过薄化处理加工后,在TFT玻璃CELL上表面完成触摸所需的线路。

步骤1:TFT玻璃CELL通过薄化处理加工后,在TFT上表面镀一层ITO屏蔽层,此镀膜为低温镀膜,ITO层厚度在方块电阻:20-150Ω/口之间,此主要功能为消除TFT对触摸模块的电磁干扰。

步骤2:在步骤一的基础上,涂布一层高透明的绝缘材料;此材料成膜厚度在0.7um到2um之间,此材料可以为OC光阻或其它高透明绝缘材料。

步骤三:在步骤二的基础上,通过低温镀膜,及黄光制程,完层触摸线路图案;此图案为适合于单层多点触控方案图案。

技术参数如下:

①触摸基板为TFT薄化后的CELL基板;厚度在0.3mm--1.0mm之间;

②镀膜真空度1×10-3Pa---2×10-5Pa,镀膜温度:120℃;

③涂布光阻粘度要求2.6-30CP,一次涂布就达到光阻分布完全均匀的状态;涂布膜厚为0.7--2um,GAP:100±20um;曝光能量:负型光阻150±20mj/cm2,GAP:200um,曝光时间:6.8-8.5s,紫外光:380-480纳米;

④使用设备:真空镀膜、UV机、清洗先、涂布机、曝光机、AR隧道炉、显影机、蚀刻机、脱模机等组要生产设备;

⑤材料:主要ITO、UV胶、OC透明绝缘胶或其它高透明绝缘材料(材料光阻是一种感光型新型材料。);

⑥测试结果:附着力按1B~6B进行判断(3B~6B为合格),附着力5B;

ITO膜层方块电阻在20-150Ω/口之间;

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