[实用新型]背照式图像传感器有效
| 申请号： | 201320429340.7 | 申请日： | 2013-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN203456461U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王刚 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 | ||
1.一种背照式图像传感器，包括：
硅片层，其包括用于感光产生电信号的光电二极管，所述硅片层具有正表面和背表面；
后端层，其设置于所述硅片层的正表面，所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层；
入光层，其包括微透镜层和滤光膜层，所述入光层设置于所述硅片层背表面；
其特征在于，所述后端层还包括：
吸光层，其设置于所述后端层预设位置，所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述后端层的介电层内部的预设区域内。
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述硅片层正表面与所述介电层之间预设区域内。
4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层与所述介电层为同一结构层，即所述介电层采用吸光材料构成。
5.根据权利要求1-4任一项所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光层设置于所述光电二极管所处位置的硅片层正表面下方，所述吸光层横截面的面积不小于所述光电二极管横截面的面积。
6.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料是对所述传感器的探测波段光吸收率为50%-100%的材料。
7.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料为碳或者三氧化铬。
8.根据权利要求7所述的背照式图像传感器，其特征在于：所述吸光材料为石墨。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子（上海）有限公司，未经格科微电子（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320429340.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带有新型主栅电极图形的太阳能电池
- 下一篇：电炉变压器调压绕组结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
