[实用新型]硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构有效
申请号: | 201320435703.8 | 申请日: | 2013-07-22 |
公开(公告)号: | CN203367240U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 沈首良 | 申请(专利权)人: | 沈首良 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人: | 李富华 |
地址: | 321400 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 边缘 合金 良好 二极管 晶闸管 烧结 组装 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于晶闸管零部件组装技术范围,特别涉及一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。
背景技术
传统的二极管和晶闸管烧结模具中将按钼圆片、铝圆片、硅圆片依次放入石墨模内,每个石墨模中放3-5组,最后把与钼片等圆的平整的压块放在上面。组装好放置在真空烧结炉内进行烧结,将硅-铝-钼烧结在一起。
采用该种组装结构烧结时,容易产生硅片边缘合金沾润不均匀,形成边缘崩边,造成烧结成品率降低。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对采用传统的二极管和晶闸管烧结组装结构烧结时,容易产生硅片边缘合金沾润不均匀,形成边缘崩边,造成烧结成品率降低的不足,提供一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3-5组叠放一起,上面再放一石墨隔离片,最后放置压块。
所述石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片的外径相同。
所述压块为不锈钢材料制成,外径小于石墨模内径1-2mm。
所述压块至少进入石墨模内三分之一。
所述石墨模内径大于石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片外径0.1-0.4 mm。
本实用新型的有益效果是保证硅片边缘合金沾润良好,均匀,崩边率降低,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
附图说明
图1为二极管和晶闸管烧结组装结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。下面结合附图和实施例予以说明。
在图1所示的二极管和晶闸管烧结组装结构示意图中,在石墨模的底面中心开有透气孔7,将外径相同的石墨隔离片6、硅圆片5(扩散光刻完后)、铝圆片4和钼圆片3进行洁净处理后依次叠放后组成一组,平放入石墨模2内,将4组叠放一起,在上面再放一片石墨隔离片6,最后将不锈钢材料制成压块1放置在上面,进入石墨模内三分之一。其中压块的外径小于石墨模内径约1mm。所述石墨模内径大于石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片外径0.15 mm。
首先将把装好的二极管和晶闸管烧结组装结构多个放置在一个真空烧结炉内,真空达到 3×10-3 Pa时,均匀升温至660~720 ℃,保温15-30 min.将硅-铝-钼烧结在一起。结果达到硅片边缘合金沾润良好,均匀,克服崩边现象发生,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造