[实用新型]太阳电池阵用大面积硅旁路二极管有效
| 申请号： | 201320436633.8 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN203434160U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁存宝;杜永超;欧伟;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/43;H01L29/06 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 大面积 旁路 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，包括三角形P型硅衬底，衬底上面自下至上有磷扩散层和上电极，衬底下面自上至下有硼扩散层和下电极，磷扩散层周围的衬底有氧化环，其特征在于：所述氧化环和衬底之间制有P+硼隔离环；所述上电极为Ti-Pd-Ag上电极系统；所述下电极为Al-Ti-Pd-Ag下电极系统。
2.根据权利要求1所述的太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，其特征在于：所述硼扩散层为p+硼重掺层；所述磷扩散层为n+磷重掺层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，其特征在于：所述Ti-Pd-Ag上电极系统由依次蒸镀在硼扩散层上的上电极Ti层、上电极Pd层和上电极Ag层构成。
4.根据权利要求1或2所述的太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，其特征在于：所述Al-Ti-Pd-Ag下电极系统由依次蒸镀在磷扩散层上的下电极Al层、下电极Ti层、下电极Pd层和下电极Ag层构成。
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