[实用新型]绝缘栅半导体装置结构有效
| 申请号： | 201320437756.3 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN203466196U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | M·库鲁西;J·瓦韦罗 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅半导体装置结构，其特征在于包括：
具有主表面的半导体材料区域；
从所述主表面延伸的第一槽；
从所述主表面延伸且与所述第一槽隔开的第二槽；
沿着所述第一和第二槽的下表面以及所述第一和第二槽的第一上表面的至少一部分形成的第一介电层；
沿着所述第一和第二槽的第二上表面的至少一部分形成的第二介电层，其中所述第二介电层比所述第一介电层薄；
在所述第一槽内沿着所述第一和第二介电层形成的第一导电电极；以及
在所述第二槽内沿着所述第一和第二介电层形成的第二导电电极，其中所述第一和第二导电电极以及所述第二介电层被配置来控制所述半导体材料区域内的沟道区域。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二上表面与所述第一上表面相反，且其中所述第一上表面具有包括所述第一介电层和所述第二介电层的交替部分，且其中所述装置还包括：与所述第一槽相邻形成且被配置来形成沟道的第一掺杂区域。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括：
在所述第一和第二槽之间从所述主表面延伸的第三槽；
所述第一介电层沿着所述第三槽的表面形成；以及
在所述第三槽内形成的第三电极。
4.根据权利要求3所述的结构，其特征在于，所述第三槽在缺少所述第二介电层的状态下形成，且其中所述第三电极被配置为保护电极。
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