[实用新型]烧杯内架及烧杯系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体失效分析技术，尤其涉及一种烧杯内架及烧杯系统。

背景技术

在半导体失效分析过程中，常用扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope；简称SEM）观察分析样品微观的形貌，由于SEM与光学显微镜的原理不同，SEM是通过接收物体表面被电子束激发的物理信号来反应物体表面的形貌信息，不能分辨物体的颜色。因此，SEM观察样品断面形貌时，较难区分层次，通常要在观察前进行化学腐蚀，由于化学溶液对不同层次的腐蚀速率不同，进而显现各层次的界限。

用于断面观察的样品的尺寸一般都较小，为保护样品断面，整个样品腐蚀过程均要人工使用镊子夹持，一次仅能处理一个样品。而一般情况下需要处理多个样品，这样同样的操作需要重复进行多次，大大地降低了工作效率；且化学溶液浓度随着时间、使用次数的增加会发生变化，也会导致样品腐蚀效果不一致，导致检测结果不准确。

实用新型内容

针对现有技术的上述缺陷，本实用新型提供一种烧杯内架及烧杯系统。

本实用新型提供的烧杯内架包括：

用于设置在烧杯内的内架主体，所述内架主体包括侧壁以及底面，所述侧壁和所述底面围设形成一容置空间；所述底面上设置有供液体流出所述容置空间的多个通孔；

在所述容置空间内设置有至少一个第一拦条，所述第一拦条的两端分别固定在所述侧壁上。

如本实用新型提供所述的烧杯内架，进一步地，各所述第一拦条距离所述底面的距离相同或不同。

如本实用新型提供所述的烧杯内架，进一步地，在所述容置空间内还设置有至少一个第二拦条，所述第二拦条的一端固定在所述侧壁上，另一端固定在所述第一拦条上。

如本实用新型提供所述的烧杯内架，进一步地，在所述容置空间内还设置有至少一个第三拦条，所述第三拦条的两端分别固定在所述第一拦条上。

如本实用新型提供所述的烧杯内架，进一步地，在所述内架主体的顶端设置有一圈凸出的外沿结构，用于将所述内架主体挂设在烧杯上。

如本实用新型提供所述的烧杯内架，进一步地，所述内架主体和所述第一拦条、所述第二拦条和所述第三拦条均由聚四氟乙烯的含氟材料制成。

本实用新型提供的烧杯系统包括：烧杯，以及上述的任一烧杯内架。

如本实用新型提供所述的烧杯系统，进一步地，所述烧杯内架的侧壁的高度为所述烧杯深度的2/3。

本实用新型提供的烧杯内架及烧杯系统，可以一次性在同一腐蚀条件下处理多个样品，保证了样品的腐蚀效果一致，提高了样品制备的效率。

附图说明

图1为本实用新型烧杯内架实施例结构示意图；

图2为图1的俯视图；

图3为本实用新型烧杯系统组成示意图。

具体实施方式

针对现有技术中进行样品腐蚀过程中人工仅能一次处理一个样品，效率低的缺陷，本实用新型提供一种安全、便利的样品化学腐蚀用的烧杯内架，其与烧杯配套使用，例如可以用于半导体器件失效分析涉及对电子显微镜样品化学处理用，利用本实用新型提供的烧杯内架和烧杯系统不但可以提高化学腐蚀效率，还保证样品间的腐蚀效果一致性。

图1为本实用新型烧杯内架实施例结构示意图，图2为图1的俯视图，如图1和图2所示，该烧杯内架包括内架主体1，该内架主体1用于设置在烧杯内，本实用新型提供的烧杯内架可通过改变尺寸，与不同大小的烧杯配套使用。

内架主体1为实体柱形容器，类似于盆状，其包括侧壁11和底面12，其中侧壁11和底面12，共同围设形成一容置空间A。在容置空间A内设置有至少一个第一拦条13，第一拦条13的两端分别固定在侧壁11上，第一拦条13可以是水平设置。内架主体1的底面12上设置有多个通孔121，通孔121可以供例如腐蚀性液体流出容置空间A。

在本实用新型提供的烧杯内架中，各第一拦条13距离底面12的距离可以相同，也可以不相同，实现不同大小的样品可以同时腐蚀且样品可靠立在第一拦条13上，以保护样品断面。该距离可以根据通常制备的几种样品尺寸规格来定，第一拦条13的数目可根据实际容置空间A而定（即由实际配套的烧杯大小决定）。

进一步地，在本实用新型提供的烧杯内架中，在容置空间内还可以设置有至少一个第二拦条（图中未示出），该第二拦条的一端固定在侧壁上，另一端固定在第一拦条上。再进一步地，在容置空间内还设置有至少一个第三拦条（图中未示出），该第三拦条的两端分别固定在第一拦条上。