[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及设有该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）已在平板显示领域中占据了主导地位。现在的TFT-LCD中越来越多的采用阵列基板行驱动（Gate driver On Array，GOA）技术，即在阵列基板的板边划分GOA区域，在GOA区域中将栅极金属与源漏极金属通过贯穿栅绝缘层和有源层的过孔电连接，作为栅极驱动电路的一部分，以实现更高的像素密集度（Pixel Per Inch，PPI）。同时，为了节省阵列基板制造过程中掩膜版的使用次数，通常利用一次掩膜版工艺在GOA区域形成贯穿栅绝缘层和有源层的过孔。例如，在高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADS）型阵列基板的制造过程中，利用一次掩膜版工艺在GOA区域刻蚀有源层和栅绝缘层，形成过孔，就可以只通过六次掩膜版工艺形成阵列基板。

本发明人在实现本实用新型的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：如图1所示，图中衬底基板1的左半部分为GOA区域，在GOA区域的衬底基板1上形成有栅极金属21、栅绝缘层3和有源层4，其中有源层4实际是由两层组成，即上层的金属重掺杂层和下层的非晶硅层。在过孔刻30蚀过程中，金属重掺杂层的刻蚀速率比非晶硅层的刻蚀速率慢很多，所以当栅绝缘层3和有源层4完全刻蚀掉，形成过孔时，有源层4的边缘会形成向下开口的倒角，这将导致后续沉积的源漏极金属下方存在空隙，影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及设有该阵列基板的显示装置，解决了现有技术中GOA区域的边缘会形成向下开口的倒角，影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性的技术问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

本实用新型提供一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；

其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。

优选的，所述过渡层的材料为氮化硅。

进一步，所述显示区域中的薄膜晶体管（TFT）区域，从下至上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧，并与所述有源层连接。

本实用新型还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

与现有技术相比，本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点：在有源层上增设过渡层，在GOA区域刻蚀过孔时，需要刻蚀过渡层、有源层和栅绝缘层，因为过渡层的刻蚀速率大于有源层的刻蚀速率，所以过孔刻蚀完毕之后，相比于有源层，会有较多的过渡层被刻蚀掉，从而在过渡层和有源层的边缘形成向上开口的正角，提高了GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为现有的阵列基板的示意图；

图2为本实用新型的实施例所提供的阵列基板的示意图；

图3a至图3j为本实用新型的实施例所提供的阵列基板的制造方法的制造过程示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。

如图2所示，本实用新型实施例所提供的阵列基板，包括显示区域和GOA区域。在GOA区域，从下至上依次包括形成于衬底基板1上的栅极金属21、栅绝缘层3、有源层4、过渡层5、源漏极金属61，且开设有贯穿过渡层、有源层和栅绝缘层的过孔30，源漏极金属61通过过孔30与栅极金属21电连接。其中，过渡层5的刻蚀速率大于有源层4的刻蚀速率，过渡层5的材料优选为氮化硅（SiN_x）。