[实用新型]一种半导体薄膜生长设备

权利要求书

1.一种半导体薄膜生长设备，其特征在于，包括：载气装置、液态源装置、生长室、旁路以及真空系统，所述载气装置依次通过手阀、单向阀以及流量计后与第一、第七和第八管道连接，其中第一管道进一步与第二管道和第三管道连接，第七管道进一步与生长室连接，第八管道进一步与旁路连接；所述液态源装置的入口端与第三管道连接，出口端与第四管道连接；第四管道与第五管道和第六管道连接，第六管道进一步与旁路连接；所述第五管道通过第七管道连接到生长室；所述生长室与真空系统、泵连接；其中，通过打开和关闭所述载气装置与生长室和旁路之间的管道，控制生长室气源。 

2.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述液态源装置包括多个液态源瓶，且载气装置为多个，所述多个液态源瓶、多个载气装置和生长室互相连通。 

3.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述管道连接的逻辑关系是：第一管道、第七管道和第八管道通过第一四通节点与载气装置连接，第一管道、第二管道和第三管道通过第一三通节点连接在一起，第二管道、第三管道和第四管道通过第二三通节点连接在一起，第五管道和第七管道通过第三三通节点与生长室连接，第六管道和第八管道通过第四三通节点与旁路连接。 

4.如权利要求3所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述四通节点和三通节点均可以独立打开和关闭。 

5.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述真空系统通过三通节点与旁路和泵连接。 

6.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述液态源装置包括源瓶、恒温槽及相关组件，所述液态源放置于源瓶中，所述源瓶置于恒温槽中，所述源瓶耐压范围为1Pa-2E5Pa，所述恒温槽温度范围为-50℃-300℃。 

7.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述生长 室耐压范围为10Pa至1E5Pa，温度范围为室温至1200℃。 

8.如权利要求1所述的半导体薄膜生长设备，其特征在于，所述第七管道的载气流量、第八管道的载气流量相等，第一管道的载气流量为第七管道的载气流量的百分之一至五分之一。