[实用新型]自供电发光防伪标识

权利要求书

1.一种自供电发光防伪标识，其特征在于，包括：

发光芯片(20)；

标志层(30)，贴合于所述发光芯片(20)出光侧的上方；以及

压电材料纳米发电机(10)，电性连接至所述发光芯片(20)的两电极；

其中，所述压电材料纳米发电机(10)将外界机械能转换为电能，为所述发光芯片(20)提供发光所需的能量；所述发光芯片(20)发出的光线由所述标志层(30)上的图案透过或遮蔽，以达到防伪目的。

2.根据权利要求1所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述压电材料纳米发电机(10)包括：下导电层(11)、压电材料纳米结构层(12)和上导电层(13)；

其中，该压电材料纳米发电机(10)受到外力发生形变，所述压电材料纳米结构层(12)中产生压电势，在下导电层(11)和上导电层(13)之间产生电压。

3.根据权利要求2所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述纳米结构层(12)为纳米结构阵列或纳米薄膜；

所述压电材料选自于：氧化锌、硫化锌、氮化镓、碲化镉或硫化镉。

4.根据权利要求3所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述纳米结构阵列中的纳米结构为：纳米线、纳米管或纳米棒。

5.根据权利要求4所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述纳米线、纳米管或纳米棒为线状、立方体或者四棱锥形状。

6.根据权利要求2所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述压电材料纳米结构层的厚度介于1μm～200μm之间。

7.根据权利要求6所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述压电材料纳米结构层的厚度介于2μm～10μm之间。

8.根据权利要求2所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述压电材料纳米发电机(10)的下导电层(11)和上导电层(13)的材料为金属材料，其厚度介于10nm～100nm之间。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，所述发光芯片(20)包括：导电层(21)，发光层(22)，透明导电膜(23)和透明绝缘膜(24)；

其中，在所述导电层(21)和透明导电膜(23)之间施加电压，所述发光层(22)发出的光穿过透明导电膜(23)和透明绝缘膜(24)射向所述标志层(30)。

10.根据权利要求9所述的自供电发光防伪标识，其特征在于，还包括：

三苯基二胺层，介于所述导电层(22)和透明导电膜(23)之间，其厚度介于25nm-100nm之间。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的自供电发光防伪标识，其特征在于：所述标志层(30)和发光芯片(20)贴合，贴合边缘处由胶黏剂密封。