[实用新型]双面导电膜和触摸屏有效

专利信息
申请号: 201320447787.7 申请日: 2013-07-25
公开(公告)号: CN203366778U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 唐根初;刘伟;唐彬;董绳财 申请(专利权)人: 深圳欧菲光科技股份有限公司;南昌欧菲光科技有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;G06F3/041
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 518106 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双面 导电 触摸屏
【权利要求书】:

1.一种双面导电膜,其特征在于,包括依次层叠的第一导电层、第一硅氧化合物层、第一光学调节层、透明聚酰亚胺层、第二光学调节层、第二硅氧化合物层和第二导电层;所述第一光学调节层的折射率为1.5~2.8,所述第二光学调节层的折射率为1.5~2.8。

2.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述第一光学调节层的材料为铌氧化合物、钛氧化合物、氮硅化合物或折射率为1.6~2.0的有机物;

所述第一光学调节层的厚度为5nm~200nm。

3.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述第二光学调节层的材料为铌氧化合物、钛氧化合物、氮硅化合物或折射率为1.6~2.0的有机物;

所述第二光学调节层的厚度为5nm~200nm。

4.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述第一硅氧化合物层的厚度为5nm~50nm;

所述第二硅氧化合物层的厚度为5nm~50nm。

5.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述第一导电层的材料为In、Sb、Zn、Cd和Sn中的一种或多种形成的氧化物;

所述第一导电层的厚度为10nm~30nm。

6.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述第二导电层的材料为In、Sb、Zn、Cd和Sn中的一种或多种形成的氧化物;

所述第二导电层的厚度为10nm~30nm。

7.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,所述双面导电膜的厚度为10μm~200μm。

8.根据权利要求1所述的双面导电膜,其特征在于,还包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设于所述第一导电层远离所述第一硅氧化合物层的表面;所述第二金属层设于所述第二导电层远离所述第二硅氧化合物层的表面。

9.根据权利要求8所述的双面导电膜,其特征在于,所述第一金属层的材料为Cu、Ag、Ni、Ti、Mo、Al、Au、Zn或其合金;

所述第二金属层的材料为Cu、Ag、Ni、Ti、Mo、Al、Au、Zn或其合金;

所述第一金属层的厚度为20nm~100nm;

所述第二金属层的厚度为20nm~100nm。

10.一种触摸屏,其特征在于,包括盖板、导电体和液晶显示模组,所述导电体位于所述盖板和所述液晶显示模组之间;

所述导电体包括第一导线、第二导线以及依次层叠的第一导电单元、第一硅氧化合物层、第一光学调节层、透明聚酰亚胺层、第二光学调节层、第二硅氧化合物层和的第二导电单元;

所述第一导线设于所述的第一导电单元远离所述第一硅氧化合物层的表面的边缘;

所述第二导线设于所述的第二导电单元远离所述第二硅氧化合物层的表面的边缘;

所述第一光学调节层的折射率为1.5~2.8,所述第二光学调节层的折射率为1.5~2.8。

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