[实用新型]一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320452531.5 申请日: 2013-07-26
公开(公告)号: CN203366281U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 杨盛际;董学;王海生 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G02F1/1333;G02F1/1343
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 内嵌式 触摸屏 显示装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置。

背景技术

触摸屏(Touch Panel,TP)包括外挂式触摸屏(Add On Touch Panel)和内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。

In Cell Touch Panel为触摸驱动电极和触摸感应电极集成在液晶显示屏内的触摸屏,该触摸屏由于其结构简单、显示性能高且成本低等优点已经逐渐成为触摸显示领域的主流。

目前,液晶显示屏按照显示模式至少可以分为:扭曲向列(Twisted Nematic,TN)型、平面转换(In Plane Switching,IPS)型和高级超维场开关(Advanced Super Dimension Switch,ADS)型等。其中,ADS显示模式的液晶显示屏是通过同一平面内电极边缘所产生的电场以及电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使在电极之间和电极正上方的所有液晶分子发生旋转,实现图像显示。相对于IPS显示模式的液晶显示屏,能够提高液晶的工作效率且能够增加透光效率。ADS显示模式的液晶显示屏具有高画面品质、高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无水波纹(push Mura)等优点。

液晶显示屏主要包括彩膜基板、阵列基板以及位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。现有触摸屏通过将触摸感应电极设置在彩膜基板上,触摸驱动电极设置在阵列基板上实现内嵌式触摸和图像显示的功能。

现有内嵌式触摸屏由于触摸驱动电极和触摸感应电极分别设置在阵列基板和彩膜基板上,触摸屏的结构较复杂且厚度较厚。另外,彩膜基板上的触摸感应电极和阵列基板上的触摸驱动电极由于相距较远分别与两颗IC相连,实现内嵌式触摸的功能,在具体实施过程中,两颗IC的匹配难度较大。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种阵列基板、内嵌式触摸屏及显示装置,用以实现一种结构简单的内嵌式触摸屏。

本实用新型实施例提供的阵列基板,包括:呈矩阵排列的多个亚像素单元,每两行相邻的亚像素单元为一个亚像素单元组,该两行亚像素单元之间设置有两条分别为该两行亚像素单元提供栅极信号的栅线;

位于所述阵列基板上的亚像素单元组之间的多条沿所述亚像素单元的行方向分布的触摸驱动电极;以及

位于所述阵列基板上的多条沿所述亚像素单元的列方向分布且与所述触摸驱动电极和所述栅线相绝缘的触摸感应电极。

较佳地,所述触摸感应电极位于所述触摸驱动电极上方,所述触摸感应电极在触控阶段为构成公共电极的公共子电极。

较佳地,所述各触摸感应电极在与所述触摸驱动电极交叠的区域设置有多个设定大小的开口。

较佳地,还包括,位于每一触摸感应电极下方亚像素单元组中的两条栅线之间的金属线,该金属线与所述触摸感应电极通过过孔连接。

较佳地,还包括,位于两个相邻的亚像素单元组之间沿亚像素单元的行方向排列且与所述各公共子电极通过过孔相连的公共电极信号线。

较佳地,所述栅线、金属线、公共电极信号线和触摸驱动电极线同层设置。

较佳地,所述触摸驱动电极与所述公共电极信号线间隔设置。

较佳地,所述触摸驱动电极包括多条沿行方向分布的触摸驱动子电极,触摸驱动子电极位于相邻的两个亚像素单元组之间,各触摸驱动子电极之间相互并联连接。

本实用新型实施例提供一种内嵌式触摸屏,包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板,以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层,所述阵列基板为上述阵列基板。

本实用新型实施例提供一种显示装置,包括所述内嵌式触摸屏。

本实用新型提供的内嵌式触摸屏的阵列基板上集成有实现触摸功能的触摸驱动电极和触摸感应电极,一方面可以降低内嵌式触摸屏的整体厚度,另一方面也最大限度的降低了IC匹配难度,提高了产品的竞争力。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的阵列基板俯视示意图;

图2为图1所示的阵列基板在A-A’向的截面示意图;

图3为本实用新型实施例提供的触摸驱动电极的第二种设置方式对应的结构示意图;

图4为本实用新型实施例提供的包括有公共电极信号线的阵列基板结构示意图;

图5为本实用新型实施例提供的包括有公共子电极的阵列基板结构示意图;

图6为图5所示的阵列基板中的狭缝状公共子电极具体结构示意图;

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