[实用新型]静态随机存储晶胞的布局

权利要求书

1.一种静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述静态随机存储晶胞设置为一矩形，其中，所述静态随机存储晶胞包括两组交叉耦合的基本电路，每一所述基本电路具有两个有源区和两个栅极交错形成的一拉升晶体管、一拉压晶体管以及一传输晶体管，所述栅极平行于所述矩形的长度方向设置，所述有源区平行于所述矩形的宽度方向设置，每一所述基本电路中的两个有源区上共享一接触线，所述接触线上具有一接触互连槽，另一所述基本电路中的一个栅极上具有一栅互连槽，每一所述基本电路中的接触互连槽与另一所述基本电路中的栅互连槽相通。

2.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述矩形的面积小于等于0.081μm²。

3.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述矩形的长度小于等于0.46μm，所述矩形的宽度小于等于0.176μm。

4.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述接触线的宽度为0.026μm～0.034μm。

5.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述接触互连槽的宽度为0.026μm～0.034μm。

6.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述栅互连槽的宽度为0.024μm～0.032μm。

7.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述拉升晶体管所在的有源区的宽度为0.04μm～0.048μm，同一所述基本电路中的两个有源区之间的间距为0.056μm～0.064μm。

8.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述栅极的宽度为0.024μm～0.032μm，所述栅极在所述矩形的宽度方向上的间距为0.056μm～0.064μm。

9.如权利要求1所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述接触线覆盖所述有源区宽度的70%以上。

10.如权利要求1-9中任意一项所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述静态随机存储晶胞包括：

第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区分别具有第一端和与第一端相对的第二端；

第一栅极，位于所述第一有源区上，所述第一栅极邻近所述第一有源区的第二端；

第二栅极，位于所述第二有源区、第三有源区和第四有源区上，所述第二栅极与所述第一栅极并排排列，并邻近所述第二有源区的第二端、所述第三有源区和第四有源区的第一端；

第三栅极，位于所述第一有源区、第二有源区和第三有源区上，所述第三栅极基本平行于所述第一栅极，并邻近所述第一有源区和第二有源区的第一端、所述第三有源区的第二端；

第四栅极，位于所述第四有源区上，所述第四栅极与所述第三栅极并排排列，并邻近所述第四有源区的第二端；

其中，所述第一有源区与所述第一栅极形成第一传输晶体管，所述第一有源区与所述第三栅极形成第一拉压晶体管，所述第二有源区与所述第三栅极形成第一拉升晶体管，所述第四有源区与所述第四栅极形成第二传输晶体管，所述第四有源区与所述第二栅极形成第二拉压晶体管，所述第三有源区与所述第二栅极形成第二拉升晶体管。

11.如权利要求10所述静态随机存储晶胞的布局，其特征在于，所述静态随机存储晶胞还包括：

第一接触线，位于所述第一有源区的第一端上；

第二接触线，位于所述第二有源区的第一端上；

第三接触线，位于所述第一有源区和第二有源区上，并位于所述第一栅极和第三栅极之间；

第四接触线，位于所述第一有源区的第二端上；

第五接触线，位于所述第四有源区的第一端上；

第六接触线，位于所述第三有源区的第一端上；

第七接触线，位于所述第三有源区和第四有源区上，并位于所述第二栅极和第四栅极之间；

第八接触线，位于所述第四有源区的第二端上；

第一接触互连槽、第二接触互连槽、第三接触互连槽、第四接触互连槽、第五接触互连槽、第六接触互连槽、第七接触互连槽以及第八接触互连槽，分别位于所述第一接触线、第二接触线、第三接触线、第四接触线、第五接触线、第六接触线、第七接触线、第八接触线上；

第一栅互连槽，位于所述第一栅上；

第二栅互连槽，位于所述第二栅和第三接触线上；

第三栅互连槽，位于所述第三栅和第七接触线上；

第四栅互连槽，位于所述第四栅上。