[实用新型]一种用于具有液晶中介的可变散射特性的上光单元的导电支撑物及此上光单元

权利要求书

1.一种用于具有液晶中介的可变散射特性的上光单元（100）的导电支撑物，该导电支撑物包括具有一个主面（11）的一个第一透明基底（1），该主面（11）包括薄膜的一个多层物（3），即以如下顺序： 

-一个电极，该电极包括一个膜，称为TCO膜，基于透明导电氧化物；以及 

-一个基于氮化硅的第一屏障膜，该第一屏障膜具有的厚度e₁为至少5nm， 

其特征在于，该多层物包括上述的第一屏障膜，一个基于氧化硅的第二屏障膜，该第二屏障膜具有的厚度e₂为至少30nm， 

且该厚度e₁小于或等于e₂，和/或e₁小于80nm， 

且该第一和第二屏障膜的累积厚度e_b大于或等于50nm并且小于150nm。 

2.根据权利要求1所述的导电支撑物，其特征在于，e₂在从30nm至100nm的范围内，并且e_b优选小于或等于120nm。 

3.根据前述权利要求中任一项所述的导电支撑物，其特征在于，e₂在从35nm至80nm的范围内，并且e₁在从10nm至50nm的范围内。 

4.根据权利要求1或2所述的导电支撑物，其特征在于，在该第一和第二屏障膜之间，该多层物（3）包括一个称为额外屏障膜的屏障膜，这个额外屏障膜基于锌锡氧化物并且具有的厚度e₅’为至少5nm且小于50nm。 

5.根据权利要求1或2所述的导电支撑物，其特征在于，该第二屏障膜是最后的屏障膜，或该多层物（3）在第二屏障膜上包括称为上方屏障膜的另一个屏障膜，这个上方屏障膜基于氮化硅并且具有的厚度e’₃为至少5nm且小于50nm。 

6.根据权利要求1或2所述的导电支撑物，其特征在于，在ITO膜和第一屏障膜之间，该多层物（3）包括称为底屏障膜的另一个屏障膜，该底屏障膜基于氧化硅并且具有的厚度e’₄为至少5nm且小于50nm。 

7.根据权利要求1或2所述的导电支撑物，其特征在于，在TCO膜和第一屏障膜之间，该多层物（3）以如下顺序包括： 

-一个基于氮化硅的第三屏障膜，该第三屏障膜具有的厚度e₃为至少5nm且小于50nm；以及 

-一个基于氧化硅的第四屏障膜，该第四屏障膜具有的厚度e₄为至少5nm且小于50nm， 

并且任选地在TCO膜和第三屏障膜之间，该多层物包括至少一个如下序列：厚度为至少5nm且小于50nm的基于氮化硅的屏障膜/厚度为至少5nm且小于50nm的基于氧化硅的屏障膜，该序列任选地重复至少一次。 

8.根据权利要求1或2所述的导电支撑物，其特征在于在该主面（11）上、在TCO膜下，该多层物（3）以如下顺序包括： 

-一个基于氮化硅的第一底膜，该第一底膜具有的厚度e_y为5nm至50nm、优选直接在主面上；以及 

-一个基于氧化硅的第二底膜，该第二底膜具有的厚度e_z为10nm至50nm。 

9.根据权利要求8所述的导电支撑物，其特征在于，e_y是介于10nm和35nm之间，e_z是介于20nm和50nm之间，e₁是介于10nm和40nm之间，并且e₂是介于40nm和70nm之间。 

10.根据权利要求8所述的导电支撑物，其特征在于，在该第一底膜和第二底膜之间，该多层物（3）包括一个称为平滑化膜的膜，该平滑化膜基于混合的锌锡氧化物并且具有的厚度e_f’为至少5nm且小于50nm。 

11.根据权利要求9所述的导电支撑物，其特征在于，在该第一底膜和第二底膜之间，该多层物（3）包括一个称为平滑化膜的膜，该平滑化膜基于混合的锌锡氧化物并且具有的厚度e_f’为至少5nm且小于50nm。