[实用新型]单层多点式触控屏及其单层多点式导电膜有效

专利信息
申请号: 201320459479.6 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN203386170U 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 杨广舟;孙超 申请(专利权)人: 南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 单层 多点 式触控屏 及其 导电
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种触控导电膜,特别是涉及一种单层多点式导电膜及使用该单层多点式导电膜的单层多点式触控屏。 

背景技术

透明导电膜是具有良好导电性,及在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域,具有极其广阔的市场空间。 

透明导电膜是触摸屏中接收触摸等输入信号的感应元件。目前,ITO(氧化铟锡)层是透明导电膜中至关重要的组成部分。触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着,但是对于传统的单层多点式导电膜,其在制成触摸屏的过程中由于需要和外界设备相连接,所以需要贴合柔性电路板(Flexible Printed Circuit,FPC),并且需要进行贴合工艺,增加了人力物力的成本。同时,ITO相应工艺中,需将镀好的整面ITO膜进行蚀刻,以形成ITO图案,在此工艺中,大量的ITO被蚀刻掉,造成大量的贵金属浪费,进而使产品成本居高不下,导致传统的单层多点式导电膜的成本较高。 

实用新型内容

基于此,有必要提供一种成本较低的单层多点式导电膜。 

一种单层多点式导电膜,包括: 

透明基底,包括本体及由所述本体的一侧延伸形成的至少一挠性连接部,所述挠性连接部的宽度小于所述本体延伸有所述挠性连接部的一侧的宽度,所述挠性连接部设置有导通线路,所述本体上设有感应区及位于所述感应区边缘的边框区; 

第一导电层,呈网格状,设置于所述感应区,所述第一导电层包括相互交叉的第一导电丝线,所述感应区开设有网格凹槽,所述第一导电层收容于所述 网格凹槽; 

绝缘层,位于第一导电丝线上方且嵌设于所述网格凹槽中; 

第二导电层,呈网格状,设置于所述透明基底的感应区,并与所述第一导电层通过所述绝缘层隔开,所述第二导电层包括相互交叉的第二导电丝线; 

第一引线电极,设置于所述边框区,所述第一引线电极与所述第一导电层电连接,所述导通线路通过所述第一引线电极与所述第一导电层电连接;及 

第二引线电极,设置于所述边框区,所述第二引线电极与所述第二导电层电连接,所述导通线路通过所述第二引线电极与所述第二导电层电连接。 

在其中一个实施例中,还包括基质层,所述基质层设于所述透明基底表面,所述感应区及所述边框区设于所述基质层远离透明基底的一侧,所述第一导电层及所述第二导电层均设置于所述基质层的感应区。 

在其中一个实施例中,所述第一引线电极及所述第二引线电极为线条状。 

在其中一个实施例中,所述第一引线电极包括相互交叉的第一导电引线,所述第二引线电极包括相互交叉的第二导电引线。 

在其中一个实施例中,所述第一引线电极位于所述边框区的表面,或所述边框区上开设第一凹槽,所述第一引线收容于开设于所述第一凹槽中。 

在其中一个实施例中,所述第二引线电极位于所述边框区的表面,或所述边框区上开设第二凹槽,所述第二引线收容于开设于所述第二凹槽中。 

在其中一个实施例中,所述第一导电层及所述第二导电层的网格为规则网格或随机网格。 

在其中一个实施例中,所述网格凹槽的宽度为d1,深度为h,其中,1μm≤d1≤5μm,2μm≤h≤6μm,h/d1>1。 

在其中一个实施例中,所述网格凹槽为底部为“V”字形、“W”字形、弧形或波浪形的微型槽。 

在其中一个实施例中,所述微型槽的深度为500nm~1μm。 

在其中一个实施例中,还包括覆盖所述第二导电层表面的透明保护层。 

一种单层多点式触控屏,包括覆盖板、单层多点式导电膜及显示模组,其特征在于,所述单层多点式导电膜为上述的单层多点式导电膜。 

上述单层多点式导电膜,其挠性连接部与透明基底形成一体化结构,单层多点式导电膜通过挠性连接部与外部进行电连接,节省了柔性电路板及与柔性电路板相关的工艺,使得单层多点式导电膜的成本较低。同时,上述单层多点式导电膜在基质层上形成有网格凹槽,网格凹槽内填充第一导电丝线形成第一导电层。因此,以嵌入式网格结构取代传统ITO工艺结构,省去了后续的蚀刻工艺,节约了大量的贵金属,进一步降低了成本。 

附图说明

图1为本实用新型实施方式的单层多点式触控屏的结构示意图; 

图2为图1中的透明基底的上视图; 

图3为图2所示透明基底中本体及挠性连接部的上视图; 

图4为图1中的单层多点式导电膜的剖面图; 

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