[实用新型]单层多点式触控导电膜及单层多点式触控屏

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种触控导电膜，特别是涉及一种单层多点式触控导电膜及使用该单层多点式触控导电膜的单层多点式触控屏。 

【背景技术】

透明导电膜是触摸屏中接收触摸等输入信号的感应元件。目前，ITO（氧化铟锡）层是透明导电膜中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着，但是以投射式电容屏为例，ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变，总是不可避免的需要ITO镀膜，ITO图形化。 

铟是一种昂贵的金属材料，因此以ITO作为导电层的材料，很大程度上提升了触摸屏的成本。再者，ITO导电层在图形化工艺中，需将镀好的整面ITO膜进行蚀刻，以形成ITO图案，在此工艺中，大量的ITO被蚀刻掉，造成大量的贵金属浪费及污染。 

因此，ITO材料及相应工艺的使产品成本居高不下，导致传统的单层多点式触控导电膜的成本较高。 

【实用新型内容】

鉴于上述状况，有必要提供一种成本较低的单层多点式触控导电膜。 

一种单层多点式触控导电膜，其包括： 

透明基底，包括感应区以及与所述感应区相邻的边框区； 

第一导电层，呈网格状，设置于所述透明基底的感应区，所述第一导电层包括相互交叉的第一导电丝线，所述感应区开设有网格凹槽，所述第一导电层收容于所述网格凹槽； 

绝缘层，位于第一导电丝线上方且嵌设于所述网格凹槽中； 

第二导电层，呈网格状，设置于所述透明基底的感应区，与所述第一导电层通过所述绝缘层隔开，所述第二导电层包括相互交叉的第二导电丝线； 

其中，所述第一导电层及所述第二导电层中至少一层为透明导电层。 

相较于传统的单层多点式触控导电膜，上述单层多点式触控导电膜在透明基底开设网格凹槽，网格凹槽内填充第一导电丝线形成第一导电层，从而以嵌入式网格结构取代传统ITO工艺结构，因而降低成本；同时第一导电层及第二导电层中至少一层为透明导电层，这样对于第一导电层及第二导电层对准精度要求比较低，可以进一步降低成本。 

在其中一个实施例中，还包括基质层，所述基质层设于所述透明基底表面，所述感应区及所述边框区设于所述基质层远离透明基底的一侧。 

在其中一个实施例中，所述第一导电层及所述第二导电层均设置于所述基质层的感应区。 

在其中一个实施例中，还包括设于所述边框区的第一引线电极及第二引线电极，所述第一引线电极与第一导电层电连接，所述第二引线电极与第二导电层电连接。 

在其中一个实施例中，所述第一引线电极及所述第二引线电极为线条状。 

在其中一个实施例中，所述第一引线电极包括相互交叉的第一导电引线，所述第二引线电极包括相互交叉的第二导电引线。 

在其中一个实施例中，所述第一引线电极位于所述边框区的表面，或收容于开设于所述边框区的第一凹槽中。 

在其中一个实施例中，所述第二引线电极位于所述边框区的表面，或收容于开设于所述边框区的第二凹槽中。 

在其中一个实施例中，所述第一导电层及所述第二导电层的网格为规则网格或随机网格。 

在其中一个实施例中，所述网格凹槽的宽度为d1，深度为h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1＞1。 

在其中一个实施例中，所述网格凹槽为底部为“V”字形、“W”字形、弧形、或波浪形的微型槽。 

在其中一个实施例中，所述微型槽的深度为500nm～1μm。 

在其中一个实施例中，所述透明导电材料为石墨烯、PEDOT、ITO或IZO。 

在其中一个实施例中，还包括覆盖所述第二导电层表面的透明保护层。 

一种单层多点式触控屏，包括覆盖板、单层多点式触控导电膜及显示模组，所述单层多点式触控导电膜为上述单层多点式触控导电膜。 

【附图说明】

图1为本实用新型实施方式的单层多点式触控屏的结构示意图； 

图2为图1中的单层多点式触控导电膜的剖面图； 

图3（a）至图3（d）为图2所示的单层多点式触控导电膜的网格凹槽的底部的不同实施例的结构示意图； 

图4（a）至图4（d）为图2所示的单层多点式触控导电膜的网格的不同实施例的结构示意图； 

图5为另一实施方式的单层多点式触控导电膜的剖面图； 

图6为另一实施方式的单层多点式触控导电膜的分解图；