[实用新型]像素驱动电路和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种像素驱动电路和显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体面板（Active Matrix Organic Light Emitting Diode,简称：AMOLED）的应用越来越广泛。AMOLED的像素显示器件为有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode,简称OLED），AMOLED能够发光是通过驱动薄膜晶体管在饱和状态下产生驱动电流，该驱动电流驱动OLED发光。图1为现有技术中基本的像素驱动电路的结构示意图，现有的基本的像素驱动电路采用2T1C电路，该2T1C电路包括两个薄膜晶体管和1个存储电容，具体的结构可参见图1所示。

但是，由于在现有的低温多晶硅工艺制程中驱动管DTFT的阈值电压Vth均匀性较差，而且在使用过程中还会发生漂移，这样当向驱动管DTFT输入相同数据电压Vdata时，由于驱动管DTFT的阈值电压不同产生不同的驱动电流，从而导致AMOLED亮度的均匀性较差。

为解决上述问题，本领域中的技术人员设计出具有阈值电压补偿功能的AMOLED像素驱动电路。图2为现有技术中的具有阈值电压补偿功能的像素驱动电路的结构示意图，图3为图2中所示电路的放电阶段的等效电路的结构示意图，如图2和图3所示，该电路为6T1C电路，在充电阶段，通过控制开关管切断驱动管DTFT与高电平VDD和低电平VDD的连接，同时储存电容C的一端与电压输入端子连接，储存电容C的另一端与数据线连接。电压输入端子提供了一个初始电压Vini，数据线提供数据电压Vdata电压输入端子与数据线共同对储存电容C进行充电，使得储存电容两端有电压Vini-Vdata。在放电阶段，参见图3，通过开关控制管切断驱动管DTFT与高电平VDD、低电平VDD、数据电压以及初始电压Vini的连接，而连接驱动管DTFT的栅极和驱动管DTFT的漏极的开关管S1继续保存导通，储存电容C与驱动管DTFT两端连接通过驱动管DTFT来进行放电，当驱动管的栅极电压Vg=Vdata+Vth时，驱动管DTFT处于亚阈值导通状态，则放电结束，此时存储电容两端电压为Vth。其中Vdata为数据信号电压，VTH为驱动管DTFT的阈值电压。在发光显示阶段时，驱动管DTFT的栅极电压Vg=Vdata+Vth，驱动晶体管的源极电压Vs=VSS，驱动管DTFT的栅源电压Vgs=Vdata+Vth，又因为驱动回路中的驱动电流为I=K*(Vgs-Vth）²，因此驱动电流I=K*Vdata²，使得驱动电流与阈值电压无关，最终实现了阈值补偿功能。

但是，上述电路仅仅在驱动管DTFT为增强型晶体管时才能实现阈值补偿功能。当驱动管DTFT为耗尽型晶体管时，耗尽型晶体管的阈值电压Vth为负值，在放电阶段时，当驱动管DTFT的栅极电压Vg=Vdata时驱动管便停止放电，因为此时驱动管DTFT栅极、源极和漏极的电压均为VDATA，即源漏电压Vgs=0，而使得放电结束，此时电容的两端电压为0，而不会为Vth，因此，该AMOLED像素驱动电路失去了阈值补偿功能。

实用新型内容

本实用新型提供一种像素驱动电路和显示装置，其可以在驱动管为任意类型时都能实现阈值补偿功能。

为实现上述目的，本实用新型提供一种像素驱动电路，包括：发光器件、驱动管、控制单元、第一充电单元、第二充电单元、第一电源端和第二电源端，所述控制单元与数据线、第一控制线、第二控制线、第一栅线和第二栅线连接，所述第一充电单元和所述第二充电单元均与所述控制单元连接，所述驱动管的栅极与所述第一充电单元连接，所述驱动管的漏极与所述第一电源端连接，所述驱动管的源极与所述控制单元连接，所述发光器件的第一极与所述控制单元和所述第二充电单元连接，所述发光器件的第二极与所述第二电源端连接；其中，

所述控制单元用于根据所述第一控制线、第二控制线、第一栅线和第二栅线的信号而依次对所述第一充电单元和所述第二充电单元进行充电，分别使得所述第一充电单元两端的电压等于驱动管的阈值电压且所述第二充电单元两端的电压等于数据线提供的数据电压；

所述第一充电单元和第二充电单元用于根据所述控制单元的控制而为所述驱动管提供驱动电压，该驱动电压等于所述驱动管的阈值电压与所述数据电压之和；

所述驱动管用于驱动所述发光器件发光。

可选地，所述控制单元包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管；