[实用新型]一种透明导电膜及其引线电极有效
申请号: | 201320463662.3 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN203376714U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 程传新;郑建军;王本现 | 申请(专利权)人: | 南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H01B5/14 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 330013 江西省南昌*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 及其 引线 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及导电膜领域,特别是涉及一种透明导电膜及其引线电极。
背景技术
透明导电膜是具有良好导电性以及在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。透明导电膜主要包括金属膜和氧化物半导体膜,其中金属膜有金、银、铜、铝、铬等,氧化物半导体膜有SnO2、In2O3、ZnO、CdO、Cd2SnO4等。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域,具有极其广阔的市场空间。
触摸屏(touch screen)又称为触控屏、触控面板等,是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置,其中透明导电膜是触摸屏中接收触摸等输入信号的感应元件。氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)因具有良好的透过率和导电性能而被广泛用作透明导电薄膜,目前其已经成为触摸屏中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术飞速发展,但是以投射式电容屏为例,ITO膜的基础制造流程近年来并未发生太大的改变,总是不可避免的需要进行ITO镀膜及ITO图形化。然而,铟是一种昂贵的金属材料,以ITO作为透明导电层的材料,在很大程度上会提升上触摸屏的制造成本;此外,在ITO导电膜的图形化工艺中,需要对镀好的整面ITO膜进行蚀刻以形成ITO图案,在此工艺中,大量的ITO被刻蚀掉,造成大量的贵金属浪费及污染。
在触摸屏制造工艺中,除了上述ITO材料的普遍使用以及ITO膜的刻蚀工艺使产品成本居高不下外,还存在以下几方面的问题:1)导电膜在制备过程中会出现微小的偏移,然而测试仪器通常是按照产品的设计尺寸进行测试,因此导电膜出现偏移时,测试仪器难以实现对导电膜的精确测试;2)导电性浆料容易脱离于用来形成触控屏有线电极的基材的凹槽;3)导电材料在缩聚时容易断裂形成断路;4)透明导电膜中的导电材料通常呈凸起状,容易被划伤而造成导电膜损坏。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种透明导电膜的引线电极,该引线电极的连接部件设置有延伸部,从而有利于测试仪器在所述透明导电膜出现偏移时仍然能够对其进行精确的测试。
本实用新型还提供一种透明导电膜及含有该透明导电膜的触摸屏,所述透明导电膜的导电材料为网格状导电引线,不仅导电性好、可见光透过率高,此外设置在基底底部的微型槽还能够防止导电材料断裂形成断路,透明导电膜产品性能优异,应用范围广泛。
为了达到上述目的,本实用新型一方面提供一种透明导电膜的引线电极,设于透明基底上或形成于透明基底表面的透明聚合物层上,所述引线电极包括连接部件和与所述连接部件连接的传输部件,其中所述连接部件包括本体和由所述本体向外延伸所形成的延伸部。
本实用新型所述透明导电膜中的引线电极,用于将内部信号传输至外部,例如所述引线电极可以用于将触摸屏所感测的触摸信号传输至外部驱动电路。本实用新型设置所述延伸部的目的在于加大所述连接部件的尺寸,从而在所述透明导电膜出现偏移时测试仪器仍然能够对其进行精确的测试。本实用新型对延伸部的尺寸没有严格的限制(即对所述连接部件的尺寸没有严格的限制),只要使连接部件的尺寸大于现有技术常规连接部分的尺寸、在工艺上可以实施并且不影响透明导电膜相应功能,均适用于本实用新型。
在本实用新型具体方案中,所述连接部件包括本体和由所述本体向外延伸0.3~1mm所形成的延伸部。
进一步地,所述连接部件包括与所述透明导电膜的导电电极连接的内连接部件和/或与外部电路连接的外连接部件。
在本实用新型一种实施方式中,所述连接部件为内连接部件,其包括内连接部件本体和由所述内连接部件本体自所述透明导电膜的导电电极长度方向向外延伸0.3~0.5mm所形成的延伸部。
在本实用新型另一种实施方式中,所述连接部件为外连接部件,其包括外连接部件本体和由所述外连接部件本体自其任一侧面向外延伸0.5~1mm所形成的延伸部。
进一步地,所述延伸部可以沿所述导电电极的长度方向向外延伸,也可以沿所述导电电极的宽度方向向外延伸。
在本实用新型的一种实施方式中,所述透明基底或透明聚合物层上设有网格状凹槽,并且所述引线电极设于所述网格状凹槽中。
其中,所述网格状凹槽的网格线部分形成凹槽的凹陷部分,并且所述引线电极位于网格线位置)。
进一步地,所述网格状凹槽的宽度为1μm~5μm,高度为2μm~6μm,且高度与宽度的比值大于1。
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