[实用新型]太阳能电池片的栅线结构有效
申请号: | 201320467667.3 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN203415589U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 符黎明;姜治平;陈培良 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人: | 陈扬 |
地址: | 213300 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造工艺领域,特别涉及正面电极栅线结构的改进。
背景技术
光伏太阳能电池正面电极的功能是收集电流、导出电流,是太阳能电池的重要组成部分,影响着太阳能电池的光电转换效率。当前,太阳能电池栅线一般是由银浆制成的,银浆通过特定的网版印刷在太阳能电池正面上,然后通过烘干、高温烧结而成。栅线的截面积大小决定其导电性能,从导电性考虑,较粗的栅线具有较好的导电性,过细的栅线也容易断裂;但由于栅线由不透光的金属材料制成,直接影响到电池表面的透光面积,因此,为了尽量减少遮光效果,必须尽量控制栅线所占的总面积。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种太阳能电池片的栅线结构,其在保证正面栅线电极良好欧姆接触以及良好的横向导电能力的前提下,尽可能的减少了栅线的遮光面积。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种太阳能电池片的栅线结构,包括接触电极和连接接触电极的金属丝,金属丝位于各接触电极上方形成桥架式结构;所述接触电极在太阳能电池片表面呈点阵式分布,且由银浆通过印刷后烧结而成。
优选的,相邻且连接同一金属丝的两接触电极的间距为0~5mm。
优选的,相邻且连接同一金属丝的两接触电极的间距为0.5~5mm。
优选的,相邻且连接同一金属丝的两接触电极的间距为0.5~1.9mm。
优选的,所述单个接触电极的面积为1*10-3~15.6mm2。
优选的,所述单个接触电极的面积为5*10-3~1mm2。
优选的,所述单个接触电极的面积为6.5~15.6mm2。
优选的,所述接触电极的形状为圆形或多边形,所述多边形包括三角形、菱形、矩形等。
优选的,所述金属丝的截面面积为5*10-5~8*10-3mm2;所述金属丝为银丝、掺银合金丝、铜丝、镀钯铜丝和镀锡铜丝中的一种。
优选的,所述栅线的根数为30~100。相邻栅线间距可以固定,也可以不均匀。
本实用新型的优点和有益效果在于:提供一种太阳能电池片的栅线结构,其在保证正面栅线良好的欧姆接触以及良好的横向导电能力的前提下,尽可能的减少了栅线的遮光面积。
本实用新型将栅线(细栅)设计为桥架式结构,底层接触电极为点阵式分布,实现与硅基片的良好欧姆接触,并有效降低了银浆用量,之后通过上层金属丝将各个点(接触电极)连接在一起,金属丝有更低的电阻率,进一步提高导电性能,而且减少了栅线所占的总面积,从而提高电池效率,且本实用新型可以没有主栅,能最大限度的减少栅线所占的总面积。
附图说明
图1是实施例1栅线结构的俯视图;
图2是实施例1栅线结构的正视图;
图3是实施例2栅线结构的正视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
本实用新型提供一种太阳能电池片的栅线结构,包括接触电极和连接接触电极的金属丝,金属丝位于各接触电极上方形成桥架式结构;所述接触电极在太阳能电池片表面呈点阵式分布,且由银浆通过印刷后烧结而成。相邻且连接同一金属丝的两接触电极的间距为0~5mm,优选间距为0.5~5mm,更优选间距为0.5~1.9mm。所述单个接触电极的面积为1*10-3~15.6mm2,优选面积为5*10-3~1mm2,另一优选面积为6.5~15.6mm2。所述接触电极的形状为圆形或多边形,所述多边形包括三角形、菱形、矩形等。所述金属丝的截面面积为5*10-5~8*10-3mm2;所述金属丝为银丝、掺银合金丝、铜丝、镀钯铜丝和镀锡铜丝中的一种。所述栅线的根数为30~100。相邻栅线间距可以固定,也可以不均匀。
本实用新型具体实施的技术方案是:
实施例1
如图1、图2所示,对于125mm*125mm尺寸的单晶硅电池片,细栅线结构设计如下:
底层不连续点阵式接触电极,行数为62行,相邻两行间距为2mm,每行长度120mm;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的