[实用新型]一种太阳能充电帽有效

专利信息
申请号: 201320468444.9 申请日: 2013-08-01
公开(公告)号: CN203505684U 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 丁永生;李龙飞;郝矿荣;石家兴 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: A42B1/24 分类号: A42B1/24;H02J7/00
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 吕伴
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能 充电
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能充电帽。

背景技术

近年来,随着柔性太阳能电池的发展,太阳能应用技术已逐渐扩展到传统的服装领域。设置有太阳能应用装置的服装,能够为用户带来全新体验。

中国专利号:201020295183提供了一种太阳能充电帽,在所述充电帽上安装有彼此用电路相连接的太阳能发电板,线路控制器、内置锂电池和USB输出口,可以随时方便地为手机、数码相机、MP3、MP4、PSP和笔记本等数码产品充电;

中国专利号:201020237512提供了一种太阳能充电帽,包括帽子、太阳能光电转换板、蓄电盒和导线,所述太阳能光电转换板设置于所述帽子的顶部,所述蓄电盒设置于所述帽子后部,所述导线电性连接所述太阳能光电转换板和蓄电盒;

中国专利号:201120203310提供一种太阳能充电帽,由太阳帽、内套、太阳能电板、充电装置、控制装置组成,所述的太阳帽内有帽架和内套,帽架是四角或六角或八角框架,太阳能电板固定在帽架边和帽架上面,内套边与帽架下端连接,内套中心有拉索,充电装置和控制装置设在帽架与内套之间。

以上三个发明的充电帽中电量输出未使用DC/DC模块,使得为设备充电时代充电流不稳定,效率低。

中国专利号:201020240557提供一种太阳能充电双电池式制冷安全帽,,其包括帽壳、帽舌、太阳能板、半导体制冷片、第一可充电电源、第二可充电电源、充电接口和开关;在帽壳的内壁上固定有金属冷片,在帽壳的外壁上固定有散热器,金属冷片和散热器分别与半导体制冷片的制冷面和制热面固定在一起,在帽壳上固定安装有能够使第一可充电电源与半导体制冷片电连接同时太阳能板与第二可充电电源电连接的开关,该实用新型带制冷功能,因此结构及制作工艺较复杂,并且不能给便携式电子产品充电。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题为,提供一种太阳能充电帽,穿戴方便,又能为便携式电子产品充电,并且提供一种能够在充电时电流稳定的太阳能充电帽。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为,一种太阳能充电帽,包括:主要包括:阳能充电系统和帽子,太阳能充电系统包含依次串接的太阳能电池、第一DC/DC模块、内置电池和第二DC/DC模块,太阳能充电系统作为一个整体设置于所述帽子上,太阳能电池将太阳能转换为电能,并有第一DC/DC模块调压稳压后储存于内置电池中,当帽子要给所需充电的设备连接后,内置电池中所储存的电能电量由第二DC/DC模块调压稳压后输入所需充电的设备中,本实用新型的一种太阳能充电帽穿戴方便,并在穿戴中可以为便携式电子产品充电,这种太阳能充电帽的进一步特征在于太阳能充电系统作为一个整体设置于帽子上,弥补了现有技术的不足。

其中,如上所述的一种太阳能充电帽,主要包括:太阳能充电系统和帽子,太阳能充电系统安装在帽子帽缘的外表面上。

其中,如上所述的一种太阳能充电帽,所述的太阳能充电系统包含太阳能电池、第一DC/DC模块、内置电池和第二DC/DC模块,太阳能电池安装在最上面,下面依次安装第一DC/DC模块、内置电池和第二DC/DC模块,其中DC/DC模块可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器,有降压和升压两种,其特点是可为专用集成电路、数字信号处理器、微处理器、存储器、现场可编程门阵列及其它数字或模拟负载提供供电。。

其中,如上所述的一种太阳能充电帽,所述的帽子使用针织方式制作,或使用皮革制品制作。

其中,如上所述的一种太阳能充电帽,所述的太阳能电池是非晶硅柔性电池、铜铟镓硒薄膜电池、有机柔性太阳电池、染料敏化太阳能柔性电池;非晶硅柔性电池、铜铟镓硒薄膜电池、有机柔性太阳电池、染料敏化太阳能柔性电池均为柔性太阳能电池。

非晶硅柔性电池、铜铟镓硒薄膜电池、有机柔性太阳电池或染料敏化太阳能柔性电池都需制作成柔性太阳能电池,柔性太阳能电池,是薄膜太阳能电池的一种,而且技术先进、性能优良、成本低廉,主要有:非晶硅柔性电池、铜铟镓硒薄膜电池、有机柔性太阳电池、染料敏化太阳能柔性电池。非晶硅(amorphous silicon,a-Si)柔性电池的厚度是晶体硅电池的1/300,可以进一步地降低原材料成本;铜铟镓硒薄膜电池属于黄铜矿结构(chalcopyrite)晶体,其带隙可以调节。由于太阳能电池对带隙的要求是1~1.7eV,通过改变III族阳离子In、Ga、Al和VI族阴离子Se、S的含量,可以按照需要调节CIGS的带隙。和非晶硅相比,CIGS晶体内部缺陷少,性能更稳定,组件寿命达25年。

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