[实用新型]甲醛室内净化处理设备有效

专利信息
申请号: 201320474520.7 申请日: 2013-08-05
公开(公告)号: CN203577593U 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 曹悦煕 申请(专利权)人: 安徽天民电气科技有限公司
主分类号: B01D53/32 分类号: B01D53/32;B01D53/72
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 239300 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 甲醛 室内 净化 处理 设备
【说明书】:

技术领域

实用新型主要涉及空气净化设备领域,尤其涉及一种甲醛室内净化处理设备。 

背景技术

现在装潢后室内的油漆中含有甲醛,甲苯,等含有很多的有害化学气体成分,严重的影响了人们的身体健康。 

实用新型内容

本实用新型目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种甲醛室内净化处理设备,对新房装修和相关工作的空气净化灭菌的处理,本实用新型可以有效无残留的处理掉室内的甲醛,甲苯,等含有很多的有害化学气体成分。 

本实用新型是通过以下技术方案实现的: 

甲醛室内净化处理设备,其特征在于:包括有滤波器L1,滤波器L1的输入端接入AC220V的电源,电源与滤波器L1之间还连接有1A的保险丝,滤波器L1并联有两个相互串联的电容C1、C2,电容C1、C2的中间连接点接地,滤波器L1和两只电容C1、C2组成π型滤波器,π型滤波器的两输出端接入整流全桥的两个输入端,整流全桥的另两端的其中一端接地,一端接入第一NMOS管的源极,整流全桥与第一NMOS管之间通过节点连接有两个串联的电容C3、C4,电容C4另一端接地,电容C3、C4之间的连接处通过节点连接到高压包B1的输入端,滤波器L1的输出端还连接有相互并联的电容C5、电阻R1,电容C5的另一端接入芯片NE555的8脚,芯片NE555的2、5脚分别通过电容C6、C7接地,芯片NE555的8脚与6脚之间还并联有相互串联的电阻R2、R3、R4,芯片NE555的3脚通过串联的电阻R2、电容C8接入变压器B2的初级线圈,变压器B2的两个次级线圈分别与第一、第二NMOS管的栅极驱动连接,第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极共同接入高压包B1的另一个输入端。 

所述的甲醛室内净化处理设备,其特征在于:所述的电容C3、C4的大小均为105nF。 

所述的甲醛室内净化处理设备,其特征在于:所述的电容C5、电阻R1的大小分别为470nF、1MΩ。 

所述的甲醛室内净化处理设备,其特征在于:所述的电容C6、C7分别为2n2电容、104电容。 

所述的甲醛室内净化处理设备,其特征在于:所述的电容C5、电阻R1的大小分别为1uF、100Ω。 

本实用新型的原理是: 

接通电源后AC220V的电源通过1A的保险丝,再通过滤波器L1和两只电容C1、C2组成π型滤波器,滤波后生成较为纯净的交流电压,此时有两只电容并联在主电压中可有效的控制了EMC的DB量,后经过整流全桥整流后经两个105n的电容C3、C4滤波产生平滑直流电,一路通过电阻R1和电容C5降压给芯片NE555供电,另一路通过NMOS给大功率驱动IRF-740供电,当激励芯片得电后通过几只外接阻容元件:电阻R2、R3、R4和电容C6、C7构成方波发生器,通过电阻R2和电容C8给推动变压器B2推动,在次级的两个绕组上产生上正下负的激励信号分别驱动两只NMOS管,使得两只NMOS管交替工作,产生脉冲电压给高压包工作,两只主滤波电容C3、C4是接低压线圈的起头,这样高压包B1就有高压输出了。 

本实用新型的优点是: 

本实用新型可以有效无残留的处理掉室内的甲醛,甲苯等含有很多的有害化学气体成分。 

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。 

具体实施方式

如图1所示,甲醛室内净化处理设备,包括有滤波器L1,滤波器L1的输入端接入AC220V的电源,电源与滤波器L1之间还连接有1A的保险丝,滤波器L1并联有两个相互串联的电容C1、C2,电容C1、C2的中间连接点接地,滤波器L1和两只电容C1、C2组成π型滤波器,π型滤波器的两输出端接入整流全桥的两个输入端,整流全桥的另两端的其中一端接地,一端接入第一NMOS管的源极,整流全桥与第一NMOS管之间通过节点连接有两个串联的电容C3、C4,电容C4另一端接地,电容C3、C4之间的连接处通过节点连接到高压包B1的输入端,滤波器L1的输出端还连接有相互并联的电容C5、电阻R1,电容C5的另一端接入芯片NE555的8脚,芯片NE555的2、5脚分别通过电容C6、C7接地,芯片NE555的8脚与6脚之间还并联有相互串联的电阻R2、R3、R4,芯 片NE555的3脚通过串联的电阻R2、电容C8接入变压器B2的初级线圈,变压器B2的两个次级线圈分别与第一、第二NMOS管的栅极驱动连接,第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极共同接入高压包B1的另一个输入端。 

电容C3、C4的大小均为105nF。 

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