[实用新型]减薄柔性三结砷化镓太阳能电池有效
| 申请号： | 201320474536.8 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN203398124U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 赵宇;肖志斌;许军;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0687 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 三结砷化镓 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.减薄柔性三结砷化镓太阳能电池，包括GaInP/GaAs/Ge三结砷化镓外延片，外延片背光面上的下电极、外延片受光面上的上电极和上电极上的减反射膜，其特征在于：所述外延片的厚度去薄至0.14mm以下；所述上电极上制有梳状密栅形栅线。
2.根据权利要求1所述的减薄柔性三结砷化镓太阳能电池，其特征在于：所述上电极为Au-Ge-Ag-Au结构上电极；所述下电极为Au-Ge-Ag结构下电极。
3.根据权利要求1所述的减薄柔性三结砷化镓太阳能电池，其特征在于：所述减反射膜为TiO2/Al2O3减反射膜。
4.根据权利要求2所述的减薄柔性三结砷化镓太阳能电池，其特征在于：所述上电极的厚度为50nm的Au、20nm的Ge、300nm的Ag和50nm的Au；所述下电极的厚度为50nm的Au、30nm的Ge和4000nm的Ag。
5.根据权利要求3所述的减薄柔性三结砷化镓太阳能电池，其特征在于：所述减反射膜的厚度为60nm的TiO2和90nm的Al2O3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
