[实用新型]LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光元件技术领域，具体涉及一种LED芯片。

背景技术

随着LED（Light Emitting Diode，发光二极管）照明技术的日益发展，LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。

LED的发光是利用正极的电流到达负极所完成，电流会以最小的电阻路线由正极到达负极，一般电阻值决定于电流路线的远近，正极到负极越近则电阻值越小、正极到负极越远则电阻就越大。然而，现有LED中的电极通常为金属线状，这使得单点的一个电流从正极进入负极，并以正极到负极给电流最近的距离最亮，其它位置将由于距离金属线较远而电阻较大、相对较暗，从而存在电流密度不均匀、导致发光不均匀的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，如何使得LED的发光尽量均匀而不影响量子阱发光面积。

为了解决上述问题，根据本实用新型一实施例，提供了一种LED芯片，其包括：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离。其中，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述第一电极孔在所述第一导电型半导体层的正面上均匀分布。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述对称图形为以下图形中的任意一种或多种：对称多边形、弧形、以及圆形。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括导电层，所述导电层由高透射率的导电材料形成，所述导电层位于所述第二导电型半导体层和所述反射层之间，并且所述第一电极孔延伸穿过所述导电层。其中，所述高透射率的导电材料可为例如ITO、ZnO、导电性高分子材料、PEDOT或纳米碳材的导电玻璃。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，在所述导电层、所述第一电极和所述第二电极至少之一上形成有保护层，所述保护层可由钛、镍、铬和金中的一种或几种制成。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述第一电极包括：填充各所述第一电极孔的电极材料，以及将填充位于第二电极区内的第一电极孔中的电极材料连接至位于第一电极区内的第一电极孔中的电极材料的引线，其中，所述第一电极区是指所述第一电极在所述反射层的正面的存在区域，所述第二电极区是指所述第二电极在所述反射层的正面的存在区域。另一方面，所述第二电极包括：填充各所述第二电极孔的电极材料，以及使填充各所述第二电极孔的电极材料避开各所述第一电极孔和所述引线而相互连接的部分。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述反射层由单层或者多层高反射率的绝缘材料制成，所述高反射率的绝缘材料可为SiO₂、DBR或光子晶体结构，所述DBR可由SiO₂、TiO₂、SiN_x、Ta₂O₅、MgF₂、ZnS中的一种或几种制成。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，所述隔离层由绝缘材料制成，所述绝缘材料可为SiO₂、DBR或光子晶体结构，所述DBR可由SiO₂、TiO₂、SiN_x、Ta₂O₅、MgF₂、ZnS中的一种或几种制成。

对于上述LED芯片，在一种可能的实现方式中，还包括绝缘保护膜，所述绝缘保护膜优选由例如二氧化硅的高硬度绝缘材料制成，覆盖该LED芯片的所有侧面、而仅暴露所述第一电极和所述第二电极。